[發(fā)明專利]一種防止EOS損傷的二級電路保護電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010005871.8 | 申請日： | 2020-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN111181142A | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 封梅泉 | 申請（專利權）人： | 華勤通訊技術有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 史翠 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 防止 eos 損傷 二級 電路 保護 | ||
1.一種防止EOS損傷的二級電路保護電路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第一倒相放大器和第二倒相放大器；其中，
所述第一MOS管的源極連接電源輸入端，所述第一MOS管的漏極和所述第二MOS管的漏極相連并都與所述第三MOS管的柵極相連，所述第一MOS管的柵極和所述第二MOS管的柵極相連并都連接在所述第一電阻和所述第一電容之間，所述第一電阻連接電源輸入端，所述第一電容接地，所述第二MOS管的源極接地；
所述第二電阻和所述第二電容并聯(lián)后一端連接電源輸入端，另一端與所述第三MOS管的漏極相連，所述第三MOS管的源極接地；
所述第一倒相放大器的輸入端與所述第三MOS管的漏極相連，所述第一倒相放大器的輸出端與所述第二倒相放大器的輸入端連接，所述第二倒相放大器的輸出端與所述第四MOS管的柵極連接，所述第四MOS管的源極連接電源輸入端，所述第四MOS管的漏極接地；
所述第三電容一端連接在所述第二倒相放大器的輸出端與所述第四MOS管的柵極之間，另一端接地。
2.根據(jù)權利要求1所述的防止EOS損傷的二級電路保護電路，其特征在于，所述第一MOS管和所述第四MOS管為PMOS管。
3.根據(jù)權利要求1所述的防止EOS損傷的二級電路保護電路，其特征在于，所述第二MOS管和所述第三MOS管為NMOS管。
4.根據(jù)權利要求1所述的防止EOS損傷的二級電路保護電路，其特征在于，所述第一電容、第二電容和第三電容為浪涌吸收電容。
5.根據(jù)權利要求1所述的防止EOS損傷的二級電路保護電路，其特征在于，所述第一電阻和第二電阻為阻尼電阻。
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