[發(fā)明專利]一種降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010004744.6 | 申請日： | 2020-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN111023931B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝承煜;曹杰;巢磊;張孝強;石東平;劉國軍;王新豐;何利文;鹿浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘潭大學(xué) |
| 主分類號： | F42D1/00 | 分類號： | F42D1/00;F42D3/04;F42D5/00 |
| 代理公司： | 北京細軟智谷知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11471 | 代理人： | 王文雅 |
| 地址： | 4111*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 礦井 爆破 粉塵 有害 氣體 濃度 布局 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括
第一水袋，其內(nèi)注有水和發(fā)泡劑，所述第一水袋分布在礦井內(nèi)爆破區(qū)域的地面上，所述第一水袋的一側(cè)設(shè)置有第一炸藥袋；
氫氧化鈣溶液袋，也分布在礦井內(nèi)爆破區(qū)域的地面上；
炮孔，在礦井內(nèi)爆破區(qū)域的地面上向地下鉆孔形成所述炮孔，所述炮孔分布在礦井內(nèi)爆破區(qū)域的地面上，所述炮孔內(nèi)填充有第二水袋和第二炸藥袋，所述第二水袋內(nèi)也注有水和發(fā)泡劑；
氧化鈣粉，涂抹在礦井內(nèi)爆破區(qū)域的側(cè)壁上；及
引爆裝置，與所述第一炸藥袋和第二炸藥袋相連用于將第一炸藥袋和第二炸藥袋同時引爆。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一水袋、第二水袋和氫氧化鈣溶液袋由PEX涂層布制成，所述第一水袋、第二水袋和氫氧化鈣溶液袋的厚度為0.2mm-1.2mm，所述第一水袋、第二水袋和氫氧化鈣溶液袋為圓柱體狀，所述第一水袋和氫氧化鈣溶液袋的橫截面直徑為200mm-350mm，其長度為1m-3m。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一水袋和氫氧化鈣溶液袋連續(xù)交替地設(shè)置在所述礦井內(nèi)爆破區(qū)域的地面上，所述第一水袋和氫氧化鈣溶液袋的長度方向與礦井內(nèi)爆破區(qū)域的寬度方向同向，所述第一水袋壓設(shè)在所述第一炸藥袋上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述炮孔均勻分布在相鄰所述第一水袋和氫氧化鈣溶液袋之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二炸藥袋位于所述炮孔的下部，所述第二水袋位于所述炮孔的上部，所述炮孔的開口處注水以形成水封。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引爆裝置包括雷管、導(dǎo)爆管和引線，所述雷管設(shè)置在所述第一炸藥袋和第二炸藥袋上，所述導(dǎo)爆管與所述雷管相接，所述引線與所述導(dǎo)爆管相接且引線的另一端延伸至礦井外。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一水袋和第二水袋中的發(fā)泡劑的質(zhì)量分數(shù)為1%-3%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化鈣粉的涂抹密度比為1比1.2，所述涂抹密度比為1比1.2為氧化鈣粉的總質(zhì)量與礦井內(nèi)爆破區(qū)域的空間體積的商為1.2，即礦井內(nèi)爆破區(qū)域內(nèi)的氧化鈣粉的密度為1.2kg/m3。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一炸藥袋和第二炸藥袋內(nèi)的炸藥質(zhì)量為0.2kg-0.5kg。
10.一種降低礦井爆破粉塵和有害氣體濃度的方法，包括以下步驟：
S1，向第一水袋和第二水袋內(nèi)注入水和發(fā)泡劑，向氫氧化鈣溶液袋內(nèi)注入氫氧化鈣溶液；
S2，在礦井的爆破區(qū)域的側(cè)壁上涂抹氧化鈣粉；
S3，在礦井的爆破區(qū)域的地面上做連續(xù)交替的第一標(biāo)記和第二標(biāo)記，在第一標(biāo)記和第二標(biāo)記之間鉆孔以形成炮孔；
S4，將第二炸藥袋和引爆裝置放置在炮孔的底部，隨后將第二水袋放置在第二炸藥袋的上方，最后向炮孔內(nèi)注水以形成水封；
S5，在第一標(biāo)記上放置第一炸藥袋和引爆裝置，并將第一水袋和氫氧化鈣溶液袋分別放置在第一標(biāo)記和第二標(biāo)記上且第一水袋壓設(shè)在第一炸藥袋上。
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