[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010004669.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112071349A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 船附里英子;前田高志;滋賀秀裕;前嶋洋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/04
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/04;G11C16/08;G11C16/30;G11C16/26
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實(shí)施方式提供一種能夠抑制數(shù)據(jù)的誤讀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：第1存儲(chǔ)單元及第2存儲(chǔ)單元，被串聯(lián)連接；第1字線(xiàn)，連接于所述第1存儲(chǔ)單元；第2字線(xiàn)，連接于所述第2存儲(chǔ)單元；以及控制電路。所述控制電路是以如下方式構(gòu)成，即，對(duì)所述第1字線(xiàn)施加第1電壓并且對(duì)所述第2字線(xiàn)施加第2電壓而對(duì)第1節(jié)點(diǎn)充電，基于所述充電后的第1節(jié)點(diǎn)的電壓對(duì)第2節(jié)點(diǎn)充電，對(duì)所述第1字線(xiàn)施加第3電壓并且對(duì)所述第2字線(xiàn)施加所述第2電壓而將所述第2節(jié)點(diǎn)放電，基于所述充電且所述放電后的所述第2節(jié)點(diǎn)的電壓從所述第1存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)。

[相關(guān)申請(qǐng)案]

本申請(qǐng)案享有以日本專(zhuān)利申請(qǐng)案2019-108754號(hào)(申請(qǐng)日：2019年6月11日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)案通過(guò)參考該基礎(chǔ)申請(qǐng)案而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)案的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

作為能夠非易失地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，已知有NAND(Not And，與非)型閃存。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能夠抑制數(shù)據(jù)的誤讀的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：第1存儲(chǔ)單元及第2存儲(chǔ)單元，被串聯(lián)連接；第1字線(xiàn)，連接于所述第1存儲(chǔ)單元；第2字線(xiàn)，連接于所述第2存儲(chǔ)單元；以及控制電路。所述控制電路是以如下方式構(gòu)成，即，對(duì)所述第1字線(xiàn)施加第1電壓并且對(duì)所述第2字線(xiàn)施加第2電壓而對(duì)第1節(jié)點(diǎn)充電，基于所述充電后的第1節(jié)點(diǎn)的電壓對(duì)第2節(jié)點(diǎn)充電，對(duì)所述第1字線(xiàn)施加第3電壓并且對(duì)所述第2字線(xiàn)施加所述第2電壓而將所述第2節(jié)點(diǎn)放電，基于所述充電且所述放電后的所述第2節(jié)點(diǎn)的電壓從所述第1存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)。

附圖說(shuō)明

圖1是用以說(shuō)明包含第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。

圖2是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列的部分的電路圖。

圖3是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列的部分的電路圖。

圖4是用以說(shuō)明作為與圖3對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元陣列的部分的存儲(chǔ)器柱的剖視圖。

圖5是沿著圖4的V-V線(xiàn)的存儲(chǔ)器柱的剖視圖。

圖6是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元晶體管的數(shù)據(jù)與閾值電壓分布的概念圖。

圖7是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列與感測(cè)放大器的連接關(guān)系的電路圖。

圖8是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的感測(cè)放大器的電路圖。

圖9是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作的流程圖。

圖10是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的下位讀出動(dòng)作的例子的時(shí)序圖。

圖11是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作中感測(cè)節(jié)點(diǎn)的初始設(shè)定處理的示意圖。

圖12是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作中參考電流的復(fù)制處理的示意圖。

圖13是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作時(shí)流經(jīng)存儲(chǔ)器柱內(nèi)的參考電流的示意圖。

圖14是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作中利用參考電流進(jìn)行的感測(cè)節(jié)點(diǎn)的充電動(dòng)作的示意圖。

圖15是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作中利用讀出電流進(jìn)行的感測(cè)節(jié)點(diǎn)的放電動(dòng)作的示意圖。

圖16是用以說(shuō)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的讀出動(dòng)作時(shí)流經(jīng)存儲(chǔ)器柱內(nèi)的讀出電流的示意圖。