[發明專利]一種耐高溫抗輻照硅鋼片及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202010004450.3
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111118455B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 汪瑞軍;詹華;李振東;柯慶航
• 申請（專利權）人: 北京金輪坤天特種機械有限公司;中國農業機械化科學研究院
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/02
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王術娜

1.一種耐高溫抗輻照硅鋼片，由硅鋼片基體和絕緣涂層組成，所述硅鋼片基體的至少一面附著有絕緣涂層，所述絕緣涂層從內到外依次由鉻層和氧化鋯層組成；

所述鉻層通過多弧離子鍍方法制備得到；

所述氧化鋯層通過電子束蒸發沉積方法制備得到。

2.根據權利要求1所述的耐高溫抗輻照硅鋼片，其特征在于，所述鉻層的厚度為0.5～2μm，所述氧化鋯層的厚度為8～30μm。

3.權利要求1～2任一項所述的耐高溫抗輻照硅鋼片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將硅鋼片基體的至少一面進行粗糙化處理，得到粗糙待處理面；

以鉻靶為靶材，在粗糙待處理面進行多弧離子鍍，在所述粗糙待處理面上得到鉻層；

以氧化鋯靶為靶材，在鉻層的表面進行電子束蒸發沉積，得到耐高溫抗輻照硅鋼片。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述粗糙化處理為噴砂處理；所述粗糙待處理面的粗糙度為6.4～12.8μm。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述多弧離子鍍的條件包括：弧電流為70～130A，基體偏壓為-100～-20V，時間為20～60min。

6.根據權利要求3或5所述的制備方法，其特征在于，所述鉻靶的純度≥99.5％。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述電子束蒸發沉積的條件包括：工作電壓為5～15kV，電子束流為1～3A，沉積時間為30～90min。

8.根據權利要求3或7所述的制備方法，其特征在于，所述氧化鋯靶的總雜質含量＜0.35％，單個粒子的晶粒度＜30μm，靶材密度為3.8～4.0g/cm³。

9.權利要求1～2任一項所述的耐高溫抗輻照硅鋼片或權利要求3～8任一項所述的制備方法制備得到的耐高溫抗輻照硅鋼片在制備空間反應堆用設備中的應用。