[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010004398.1
• 申請(qǐng)日: 2020-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN113013331A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許漢杰;許正源;張?bào)X遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 力晶積成電子制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L49/02
• 分類號(hào): H01L49/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底；

介電層，位于所述基底上；

電容器結(jié)構(gòu)，包括：

第一電極，位于所述介電層上；

絕緣層，位于所述第一電極上；

第二電極，位于所述絕緣層上；以及

間隙壁，覆蓋所述第一電極的側(cè)壁；以及

導(dǎo)線，位于所述電容器結(jié)構(gòu)的一側(cè)的所述介電層上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第一電極的材料為不含鋁的金屬材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述間隙壁還覆蓋所述絕緣層的側(cè)壁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述第一電極的寬度大于所述第二電極的寬度。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)線與所述第二電極由同一導(dǎo)體層構(gòu)成。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在基底上形成介電層；

在所述介電層上形成電容器結(jié)構(gòu)，其中所述電容器結(jié)構(gòu)包括：

第一電極，位于所述介電層上；

絕緣層，位于所述第一電極上；

第二電極，位于所述絕緣層上；以及

間隙壁，覆蓋所述第一電極的側(cè)壁；以及

在所述電容器結(jié)構(gòu)的一側(cè)的所述介電層上形成導(dǎo)線，其中所述第二電極與所述導(dǎo)線通過相同制作工藝同時(shí)形成。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述第一電極與所述絕緣層的形成方法包括：

在所述介電層上形成第一電極材料層；

在所述第一電極材料層上形成絕緣材料層；以及

對(duì)所述絕緣材料層與所述第一電極材料層進(jìn)行圖案化。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述間隙壁還覆蓋所述絕緣層的側(cè)壁。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述間隙壁的形成方法包括：

形成覆蓋所述絕緣層與所述第一電極的間隙壁材料層；以及

對(duì)所述間隙壁材料層進(jìn)行回蝕刻制作工藝。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括：

在對(duì)所述間隙壁材料層進(jìn)行回蝕刻制作工藝后，進(jìn)行濺射蝕刻制作工藝。

11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述第二電極與所述導(dǎo)線的形成方法包括：

在所述介電層、所述絕緣層與所述間隙壁上形成導(dǎo)體層，其中所述導(dǎo)體層與所述第一電極通過所述絕緣層與所述間隙壁而彼此隔離；以及

對(duì)所述導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，以于所述介電層上形成所述導(dǎo)線，且同時(shí)于所述絕緣層上形成所述第二電極。