[發明專利]基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法在審
| 申請號： | 202010004363.8 | 申請日： | 2020-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN111158038A | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發明（設計）人： | 楊曉寧;劉宇明;李蔓;田東波;王志浩;沈自才;姜海富 | 申請（專利權）人： | 北京衛星環境工程研究所 |
| 主分類號： | G01T1/10 | 分類號： | G01T1/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100094 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 光譜 中子 輻射 劑量 探測 方法 | ||
1.一種基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述探測方法包括：
將附著于襯底表面的轉換體材料放置于慢中子輻照環境中，利用拉曼激光器激發所述轉換體材料，并測量所述轉換體材料中子輻射后的拉曼光譜；
對比所述轉換體材料中子輻射后的拉曼光譜與標定劑量表中拉曼光譜的特征峰偏移量，確定所述慢中子輻照環境中的中子輻射劑量。
2.根據權利要求1所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述轉換體材料為10BN材料。
3.根據權利要求2所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述10BN材料包括10BN納米管、10BN二維材料或者10BN粉末中的任意一種材料。
4.根據權利要求1所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述襯底材料的拉曼光譜譜線不在1200cm-1~1500cm-1范圍內。
5.根據權利要求4所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述襯底材料包括硅、氧化硅或者鋁中的任意一種材料。
6.根據權利要求5所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述襯底材料的雜質含量小于1%。
7.根據權利要求1所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述標定劑量表中拉曼光譜與所述中子輻射劑量的對應關系通過如下步驟得到：
根據不同中子輻射劑量輻射第一轉換體材料，得到第二轉換體材料，并測量所述第二轉換體材料對應的第二拉曼光譜；
基于所述第一轉換體材料的第一拉曼光譜、所述第二拉曼光譜和第三轉換體材料的第三拉曼光譜，確定標定劑量表；
其中，所述第二轉換體材料為所述第一轉換體材料向所述第三轉換體材料轉化的中間狀態。
8.根據權利要求7所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述基于所述第一轉換體材料的第一拉曼光譜、所述第二拉曼光譜和第三轉換體材料的第三拉曼光譜，確定標定劑量表，包括：
分別提取拉曼光譜的特征峰譜線，所述拉曼光譜包括所述第一拉曼光譜、所述第二拉曼光譜和所述第三拉曼光譜；
對所述特征峰譜線進行運算，得到所述第二轉換體材料的轉化率，并建立所述轉化率與對應的中子輻射劑量的映射關系，得到所述標定劑量表。
9.根據權利要求7所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述第一轉換體材料為10BN材料，所述第三轉換體材料為11BN材料。
10.根據權利要求7至9中任意一項所述的基于拉曼光譜的中子輻射劑量探測方法，其特征在于，所述第一轉換體材料和所述第三轉換體材料為納米管材料。
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