[發明專利]一種單片混合型CCD結構

有效

• 申請號: 202010004308.9
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111147775B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 白雪平;楊洪;翁雪濤
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H04N5/372
• 分類號: H04N5/372;H04N5/369;H04N5/355
• 代理公司: 重慶樂泰知識產權代理事務所(普通合伙) 50221
• 代理人: 劉佳

1.一種單片混合型CCD結構，包括襯底(1)和設在該襯底(1)上的線陣CCD單元(2)，其特征在于：所述襯底(1)上還設有TDICCD單元(3)和TDIEMCCD單元(4)，所述線陣CCD單元(2)包括第一水平寄存器(21)、第一光敏區(22)和第一放大器(23)，所述第一光敏區(22)與所述第一水平寄存器(21)的輸入端電連接，所述第一水平寄存器(21)的輸出端與所述第一放大器(23)電連接，所述線陣CCD單元(2)用于高亮度的動態成像；所述TDICCD單元(3)包括第二水平寄存器(31)、第二光敏區(32)和第二放大器(33)，所述第二光敏區(32)與所述第二水平寄存器(31)的輸入端電連接，所述第二水平寄存器(31)的輸出端與所述第二放大器(33)電連接，所述TDICCD單元(3)用于中等亮度的動態成像；所述TDIEMCCD單元(4)包括第三水平寄存器(41)、第三光敏區(42)、第三放大器(43)和倍增寄存器(44)，所述第三光敏區(42)與所述第三水平寄存器(41)的輸入端電連接，所述第三水平寄存器(41)的輸出端與所述倍增寄存器(44)的輸入端電連接，所述倍增寄存器(44)的輸出端與所述第三放大器(43)電連接，所述第三水平寄存器(41)與所述倍增寄存器(44)之間設有弧形啞元(8)，所述TDIEMCCD單元(4)用于低亮度的動態成像；所述第三光敏區(42)包括第三有效像元(421)、第三隔離像元(422)和第三暗像元(423)，所述第三有效像元(421)位于所述第三光敏區(42)的中間區域，所述第三隔離像元(422)位于所述第三有效像元(421)的外側，所述第三暗像元(423)位于所述第三隔離像元(422)的外側。

2.根據權利要求1所述的一種單片混合型CCD結構，其特征在于：所述第二水平寄存器(31)和所述第二光敏區(32)之間設有第一隔離行(5)，所述第三水平寄存器(41)和所述第三光敏區(42)之間設有第一隔離行(5)；所述第二光敏區(32)遠離所述第二水平寄存器(31)的一側設有第二隔離行(6)，所述第三光敏區(42)遠離所述第三水平寄存器(41)的一側設有第二隔離行(6)。

3.根據權利要求1所述的一種單片混合型CCD結構，其特征在于：所述第一水平寄存器(21)兩端設有啞元(7)，所述第二水平寄存器(31)兩端設有啞元(7)，所述倍增寄存器(44)遠離所述第三水平寄存器(41)的一端設有啞元(7)，所述第三水平寄存器(41)與所述倍增寄存器(44)之間設有弧形啞元(8)。

4.根據權利要求1所述的一種單片混合型CCD結構，其特征在于：所述第一光敏區(22)包括第一有效像元(221)、第一隔離像元(222)和第一暗像元(223)，所述第一有效像元(221)位于所述第一光敏區(22)的中間區域，所述第一隔離像元(222)位于所述第一有效像元(221)的外側，所述第一暗像元(223)位于所述第一隔離像元(222)的外側。

5.根據權利要求1所述的一種單片混合型CCD結構，其特征在于：所述第二光敏區(32)包括第二有效像元(321)、第二隔離像元(322)和第二暗像元(323)，所述第二有效像元(321)位于所述第二光敏區(32)的中間區域，所述第二隔離像元(322)位于所述第二有效像元(321)的外側，所述第二暗像元(323)位于所述第二隔離像元(322)的外側。

6.根據權利要求1所述的一種單片混合型CCD結構，其特征在于：所述襯底(1)為硅襯底。