[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010004290.2
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111415953A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金昶和;金寬植;金潤慶;樸商秀;李范錫;李泰淵;崔珉準
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種圖像傳感器，包括：

半導(dǎo)體基板，包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

第一光電轉(zhuǎn)換部分，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的所述第二表面上；

第一浮置擴散區(qū)，與所述第一表面相鄰地提供在所述半導(dǎo)體基板中；

第一層間絕緣層，覆蓋所述第一表面；

第一溝道圖案，在所述第一層間絕緣層上；以及

第一傳輸柵電極，與所述第一溝道圖案相鄰地設(shè)置，所述第一傳輸柵電極配置為控制在所述第一光電轉(zhuǎn)換部分中產(chǎn)生的電荷通過所述第一溝道圖案傳輸?shù)剿龅谝桓≈脭U散區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括：貫通電極，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中并將所述第一光電轉(zhuǎn)換部分電連接到所述第一溝道圖案。

3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，還包括：

第一接觸插塞，穿透所述第一層間絕緣層并將所述貫通電極連接到所述第一溝道圖案的一端；和

第二接觸插塞，穿透所述第一層間絕緣層并將所述第一溝道圖案的另一端連接到所述第一浮置擴散區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，還包括：

面對所述第一接觸插塞的第一導(dǎo)電圖案，所述第一溝道圖案的一部分插置在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第一接觸插塞之間；和

面對所述第二接觸插塞的第二導(dǎo)電圖案，所述第一溝道圖案的另一部分插置在所述第二導(dǎo)電圖案和所述第二接觸插塞之間。

5.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案與所述第一溝道圖案接觸。

6.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，還包括覆蓋所述第一溝道圖案的絕緣層，

其中所述絕緣層插置在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第一溝道圖案之間以及在所述第二導(dǎo)電圖案和所述第一溝道圖案之間。

7.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一層間絕緣層包括凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域形成在所述第一層間絕緣層的上部中，并且

所述第一傳輸柵電極設(shè)置在所述凹陷區(qū)域中。

8.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一溝道圖案包括氧化物半導(dǎo)體材料。

9.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括：

第二光電轉(zhuǎn)換部分，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中；和

第二傳輸柵電極，插置在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面和所述第一層間絕緣層之間，所述第二傳輸柵電極配置為控制在所述第二光電轉(zhuǎn)換部分中產(chǎn)生的電荷的傳輸。

10.如權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，還包括與所述第二傳輸柵電極相鄰地設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中的第二浮置擴散區(qū)，

其中所述第二浮置擴散區(qū)與所述第一浮置擴散區(qū)間隔開。

11.如權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，還包括：

第三光電轉(zhuǎn)換部分，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板中并與所述第二光電轉(zhuǎn)換部分間隔開；和

第三傳輸柵電極，插置在所述半導(dǎo)體基板的所述第一表面和所述第一層間絕緣層之間，所述第三傳輸柵電極配置為控制在所述第三光電轉(zhuǎn)換部分中產(chǎn)生的電荷的傳輸，

其中所述第二光電轉(zhuǎn)換部分的深度不同于所述第三光電轉(zhuǎn)換部分的深度，

所述第二傳輸柵電極的一部分和所述第三傳輸柵電極的一部分延伸到所述半導(dǎo)體基板中，并且

所述第二傳輸柵電極的底表面的深度不同于所述第三傳輸柵電極的底表面的深度。

12.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一傳輸柵電極面對所述第一層間絕緣層，使所述第一溝道圖案插置在所述第一傳輸柵電極與所述第一層間絕緣層之間，并且

所述圖像傳感器還包括光阻擋圖案，該光阻擋圖案與所述第一傳輸柵電極垂直地重疊并插置在所述第一溝道圖案和所述第一層間絕緣層之間。