[發明專利]一種顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法

在審

• 申請號: 202010004286.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111077005A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 楊銀輝;潘曉宇;鄧亞輝;倪珂;蒲超博
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: G01N1/32
• 分類號: G01N1/32;G01N1/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于，包括下述步驟：

（1）從雙相不銹鋼板材上切取板料作為高溫壓縮試樣；

（2）對高溫壓縮試樣進行熱壓縮變形試驗，熱壓縮變形的應變速率為0.01～10 s^-1，變形溫度為850℃～1150℃，加熱速率10K/s，且壓縮變形量為70%，熱變形結束后進行水淬；

（3）沿熱壓縮變形后的樣品中心軸線垂直方向切取薄片，對薄片的表面進行粗磨；

（4）用砂紙目數小于800目的碳化硅耐水砂紙對薄片表面進行干磨，干磨的最后一道使用800#碳化硅耐水砂紙；然后用砂紙目數大于1000目的碳化硅耐水砂紙在清水沖洗下進行研磨，水磨的最后一道使用5000#碳化硅耐水砂紙；上述干磨和水磨過程中每次更換砂紙時，將薄片沿研磨面旋轉90度，使得新的磨痕垂直于上一張砂紙的磨痕，研磨至新的磨痕蓋住上一張砂紙的磨痕為止；

（5）采用金相拋光機對薄片表面進行精拋，拋光機轉速為1300～1500r/min，拋光布使用呢絨織物，并依次采用不同粒度金剛石拋光研磨膏，最后一次使用粒度1.5μ的金剛石拋光研磨膏；

（6）用無水乙醇清洗薄片表面，干燥并確認試樣待侵蝕面清潔無污染；

（7）室溫下，將步驟（6）薄片固定在鉑片電極夾上作為正極，薄片背面與鉑片端接觸，保證電路導通，以鉑電極作為陰極，接通直流電源，在電壓為3～4V條件下將鉑片電極夾和鉑電極平行放入腐蝕劑Ⅰ中進行侵蝕，待試樣表面由亮面轉變為至較淺的銀灰色時，將鉑片電極夾和鉑電極同時從腐蝕劑Ⅰ中取出，關閉直流電源并用流水充分清洗鉑片電極夾和鉑電極，用無水乙醇擦拭干凈薄片表面，吹干后，在電壓1～1.5V條件下將鉑片電極夾和鉑電極平行放入腐蝕劑Ⅱ中進行侵蝕，待試樣表面被侵蝕成深灰色時，將鉑片電極夾和鉑電極從腐蝕劑Ⅱ中取出，關閉直流電源，用流水沖洗清洗薄片和鉑電極，用無水乙醇將薄片表面擦拭干凈，吹干。

2.根據權利要求1所述的顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于：腐蝕劑Ⅰ為質量濃度為5～10%的草酸溶液，腐蝕劑Ⅱ為體積濃度為65.0%~68.0%的濃硝酸。

3.根據權利要求1所述的顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于：雙相不銹鋼為高Mn高Cr雙相不銹鋼。

4.根據權利要求1所述的顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于：步驟（3）中薄片厚度為3～4mm。

5.根據權利要求1所述的顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于：在腐蝕劑Ⅰ中進行侵蝕時間為1～2min，電流為0.3~0.5 A。

6.根據權利要求1所述的顯示雙相不銹鋼熱變形再結晶晶粒晶界的方法，其特征在于：在腐蝕劑Ⅱ中進行侵蝕時間為2～5s，電流為0.6~1A。