[發(fā)明專利]晶圓數(shù)據(jù)處理方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010004108.3
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111209713B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設計）人: 潘曉東
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G06F30/33
• 分類號: G06F30/33;G06F30/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 榮甜甜;劉芳

1.一種晶圓數(shù)據(jù)處理方法，其特征在于，晶圓包括N個電路單元，每個電路單元包括M個子單元，所述N和所述M均為大于或等于2的整數(shù)，所述方法包括：

電子設備獲取N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，以及，N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量，其中，所述電氣特性參數(shù)值包括電流值和/或電壓值；

所述電子設備根據(jù)N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，得到所述晶圓的第一信息熵序列，所述第一信息熵序列包括X個電路單元集合的電氣特性參數(shù)信息熵，每個電路單元集合包括Y個電路單元，所述X為大于或等于1且小于或等于所述N的整數(shù)，所述Y為小于或等于所述N的整數(shù)；

所述電子設備根據(jù)所述N個電路單元損壞的子單元的數(shù)量，得到所述晶圓的第二信息熵序列，所述第二信息熵序列包括X個所述電路單元集合的電路單元損壞信息熵；

所述電子設備根據(jù)所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列，獲取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度，所述相似度表征所述晶圓的電路單元中損壞的子單元與電氣特性參數(shù)值的關聯(lián)程度。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子設備根據(jù)N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，得到所述晶圓的第一信息熵序列之前，所述方法還包括：

所述電子設備根據(jù)N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值進行分組，并對各組的電路單元的電氣特性參數(shù)值進行調整，以使同一組的電路單元的電器特性參數(shù)值為該組電器特性參數(shù)值的平均值；

所述電子設備根據(jù)N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量進行分組，并對各組的電路單元損壞的子單元的數(shù)量進行調整，以使同一組的電路單元損壞的子單元的數(shù)量為該組損壞的子單元的數(shù)量的平均值。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子設備根據(jù)N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，得到所述晶圓的第一信息熵序列之前，所述方法還包括：

所述電子設備將N個所述電路單元劃分為X個所述電路單元集合。

4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述電子設備獲取N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，以及，N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量，包括：

所述電子設備接收N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，以及，N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量。

5.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述電子設備獲取N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，以及，N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量，包括：

所述電子設備接收N個所述電路單元的測試數(shù)據(jù)；

所述電子設備根據(jù)所述N個所述電路單元的測試數(shù)據(jù)，獲取N個所述電路單元的電氣特性參數(shù)值，以及，N個所述電路單元損壞的子單元的數(shù)量。

6.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述獲取所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度之后，還包括：

所述電子設備向終端設備發(fā)送所述第一信息熵序列和所述第二信息熵序列的相似度。

7.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，相鄰的兩個電路單元集合包括至少一個相同的電路單元。

8.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述電路單元為芯片裸片，所述子單元為存儲塊。