[發(fā)明專利]非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010004029.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112532247B | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾華俊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03M1/38 | 分類號(hào)： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 周曉飛;許曼 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 同步 循序漸進(jìn) 暫存器 模擬 數(shù)字 轉(zhuǎn)換器 | ||
1.一種非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，包含：
一模擬信號(hào)輸入端，用以接收一模擬信號(hào)；
一取樣維持電路，用以取樣該模擬信號(hào)，以取得并維持一取樣電壓；
一差值放大器，用以放大該取樣電壓與一轉(zhuǎn)換電壓之間的差值，以輸出一正輸出電壓信號(hào)以及一負(fù)輸出電壓信號(hào)；
一比較器，當(dāng)該正輸出電壓信號(hào)與該負(fù)輸出電壓信號(hào)之間的差值到達(dá)一預(yù)設(shè)電壓門檻值，該比較器輸出一穩(wěn)態(tài)信號(hào)；
一比較鎖存電路，連續(xù)比較該差值放大器的該正輸出電壓信號(hào)以及該負(fù)輸出電壓信號(hào)，以產(chǎn)生并鎖存一比較結(jié)果，當(dāng)該比較鎖存電路接收到該穩(wěn)態(tài)信號(hào)，該比較鎖存電路輸出該比較結(jié)果；
一循序漸進(jìn)式暫存器SAR，回應(yīng)該比較結(jié)果以儲(chǔ)存并調(diào)整一數(shù)字測試值；以及
一數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器，用以將該數(shù)字測試值轉(zhuǎn)換成該轉(zhuǎn)換電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該差值放大器的輸出具有亞穩(wěn)態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，當(dāng)該差值放大器的輸出為該亞穩(wěn)態(tài)時(shí)，該比較鎖存電路進(jìn)入該亞穩(wěn)態(tài)。
4.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，還包含一固定延遲單元，耦接于該比較鎖存電路以及該差值放大器之間，該固定延遲單元接收該比較鎖存電路輸出的一觸發(fā)信號(hào)，并延遲一固定時(shí)間后將該觸發(fā)信號(hào)輸出至該差值放大器，以觸發(fā)該差值放大器進(jìn)行操作。
5.如權(quán)利要求1所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該差值放大器包含一第一NMOS晶體管、一第二NMOS晶體管、一第三PMOS晶體管、一第四PMOS晶體管、一第五NMOS晶體管，該第一NMOS晶體管與該第二NMOS晶體管的源極耦接該第五NMOS晶體管的漏極，該第五NMOS晶體管的源極接地，該第三PMOS晶體管的漏極耦接該第一NMOS晶體管的漏極，該第四PMOS晶體管的漏極耦接該第二NMOS晶體管的漏極，該第三PMOS晶體管與該第四PMOS晶體管的源極耦接一電源電壓端，該第一NMOS晶體管的柵極接收該取樣電壓，該第二NMOS晶體管的柵極接收該轉(zhuǎn)換電壓，該第三PMOS晶體管的柵極耦接該第四PMOS晶體管的柵極，該第三PMOS晶體管的柵極、該第四PMOS晶體管的柵極以及該第五NMOS晶體管的柵極接收一時(shí)脈信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該比較鎖存電路包含一第六PMOS晶體管、一第七PMOS晶體管、第八PMOS晶體管、一第九NMOS晶體管、一第十NMOS晶體管、一第十一NMOS晶體管、一第十二NMOS晶體管，該第九NMOS晶體管、該第十NMOS晶體管、該第十一NMOS晶體管以及該第十二NMOS晶體管的源極接地，該第九NMOS晶體管的漏極耦接該第十一NMOS晶體管的漏極、該第七PMOS晶體管的漏極以及該第十NMOS晶體管的柵極，該第十NMOS晶體管的漏極耦接該第十二NMOS晶體管的漏極、該第八PMOS晶體管的漏極以及該第九NMOS晶體管的柵極，該第十一NMOS晶體管的柵極耦接該第三PMOS晶體管的漏極，該第十二NMOS晶體管的柵極耦接該第四PMOS晶體管的漏極，該第九NMOS晶體管的柵極耦接該第七PMOS晶體管的柵極，該第十NMOS晶體管的柵極耦接該第八PMOS晶體管的柵極，該第六PMOS晶體管的源極耦接該電源電壓端、漏極耦接該第七PMOS晶體管與該第八PMOS晶體管的源極、以及柵極接收該穩(wěn)態(tài)信號(hào)。
7.如權(quán)利要求6所述的非同步循序漸進(jìn)式暫存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其特征在于，當(dāng)該穩(wěn)態(tài)信號(hào)的電平改變而導(dǎo)通該第六PMOS晶體管，該第九NMOS晶體管的漏極上的電壓輸出作為該比較結(jié)果。
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