[發(fā)明專利]聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010003722.8
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111187615B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡廣齊;姜虹
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州居一安照明科技有限公司
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;C09K11/65;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;H01L51/50
• 代理公司: 北京金誠同達(dá)律師事務(wù)所 11651
• 代理人: 李強(qiáng)

1.一種聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料，其特征在于，所述聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料包括量子點(diǎn)和聚硅氧烷，量子點(diǎn)通過化學(xué)鍵和聚硅氧烷相連，形成顆粒尺寸為1~20nm的納米顆粒；其中，所述量子點(diǎn)為硅量子點(diǎn)和碳量子點(diǎn)，

硅烷和反應(yīng)助劑加入溶劑中反應(yīng)得到所述量子點(diǎn)和聚硅氧烷，

所述硅烷為N-[3-(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺，

所述反應(yīng)助劑包括檸檬酸鈉、EDTA-Na、二硫代苯甲酸鈉、脂肪酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、苯酚鈉和酒石酸鈉中的一種或多種，

所述反應(yīng)助劑還包括氨水和/或氫氧化鈉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料，其特征在于，所述聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料中量子點(diǎn)的體積百分比為0.1%~20%和聚硅氧烷的體積百分比為80%~99.9%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料，其特征在于，所述聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料的發(fā)射主峰波長范圍為420~480nm。

4.權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：

取一定量的所述硅烷、反應(yīng)助劑和溶劑混合，然后置于高壓反應(yīng)釜中于一定反應(yīng)溫度下進(jìn)行反應(yīng)，得到顆粒尺寸為1~20nm和/或20~500nm的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料，

取顆粒尺寸為20~500nm的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料經(jīng)過激光刻蝕加工得到顆粒尺寸為1~20nm的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料的制備方法，其特征在于，激光刻蝕加工包括步驟：將顆粒尺寸為20~500nm的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料置于激光刻蝕裝置中，在掃描速度為10~40 mV/s和電流為15~35A下進(jìn)行加工。

6.權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料或權(quán)利要求4~5任一項(xiàng)所述的制備方法得到的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料在LED光源中的應(yīng)用，其特征在于，LED光源中發(fā)光層的材料包括所述聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料。

7.一種QLED器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料或權(quán)利要求4~5任一項(xiàng)所述的制備方法得到的聚硅氧烷雜化量子點(diǎn)納米材料。