[發(fā)明專利]曝光裝置、用于控制曝光裝置的方法、以及物品制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010003629.7 | 申請日: | 2020-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN111413850A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加賀明久;水元一史 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 張勁松 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 用于 控制 方法 以及 物品 制造 | ||
本發(fā)明公開了曝光裝置、用于控制曝光裝置的方法、以及物品制造方法。曝光裝置包括被配置為將掩模的圖案投影到基板上的投影光學(xué)系統(tǒng)、被配置為保持和移動所述基板的基板臺架、以及被配置為控制由所述基板臺架保持的基板的曝光的控制器,其中所述控制器基于遠心度信息和高度信息來獲得投影到所述基板上的圖案的圖像相對于所述掩模的圖案的偏離量,并且基于獲得的偏離量來校正所述圖像的偏離以使所述基板曝光,所述遠心度信息是關(guān)于所述投影光學(xué)系統(tǒng)的各個圖像高度的遠心度的信息,所述高度信息是關(guān)于所述基板的表面的高度的信息。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及曝光裝置、用于控制曝光裝置的方法、以及物品制造方法。
背景技術(shù)
在用于將原始版(掩模或標線)的圖案轉(zhuǎn)印到基板上的曝光裝置中,對基板的擊射(shot)區(qū)域的變形、畸變等執(zhí)行各種校正。這些校正通常獨立于聚焦位置的控制(校正)而執(zhí)行。這是因為曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)是遠心的,并且即使聚焦位置改變,擊射區(qū)域的倍率因子偏離、旋轉(zhuǎn)偏離以及畸變也不改變。然而,曝光裝置的投影光學(xué)系統(tǒng)不是嚴格遠心的,并且由于投影光學(xué)系統(tǒng)中的像差的影響而存在遠心度(telecentricity)。
日本專利特開No.2017-90778公開了用于通過校正由遠心度產(chǎn)生的散焦量來提高重疊精確度的技術(shù)。
隨著近年的圖案的微型化和對厚膜光刻膠執(zhí)行的處理數(shù)量的增加,已變得不可能忽略由遠心度不為零的事實造成的根據(jù)散焦量的畸變、投影倍率因子的變化或圖像偏移的影響。因此,存在對以較高的精確度校正圖像偏離的需要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供例如有利于提高圖像偏離校正的精確度的技術(shù)。
本發(fā)明在其一個方面中提供了一種曝光裝置,所述曝光裝置可操作以使基板曝光,所述裝置包括:投影光學(xué)系統(tǒng),所述投影光學(xué)系統(tǒng)被配置為將掩模的圖案投影到所述基板上;基板臺架,所述基板臺架被配置為保持和移動所述基板;以及控制器,所述控制器被配置為控制由所述基板臺架保持的基板的曝光,其中所述控制器基于遠心度信息和高度信息來獲得投影到所述基板上的圖案的圖像相對于所述掩模的圖案的偏離量,并且基于獲得的偏離量來校正所述圖像的偏離以使所述基板曝光,所述遠心度信息是關(guān)于所述投影光學(xué)系統(tǒng)的各個圖像高度的遠心度的信息,所述高度信息是關(guān)于所述基板的表面的高度的信息。
本發(fā)明在其第二方面中提供了一種用于控制曝光裝置的方法,所述曝光裝置通過投影光學(xué)系統(tǒng)將掩模的圖案投影到基板上并且使所述基板曝光,所述方法包括:獲得遠心度信息,所述遠心度信息是關(guān)于所述投影光學(xué)系統(tǒng)的各個圖像高度的遠心度的信息;獲得高度信息,所述高度信息是關(guān)于所述基板的表面的高度的信息;基于所述遠心度信息和高度信息來獲得投影到所述基板上的圖案的圖像相對于所述掩模的圖案的偏離量;以及基于獲得的偏離量來校正所述圖像的偏離以使所述基板曝光。
本發(fā)明在其第三方面中提供了一種制造物品的方法,包括:使用在第一方面中定義的曝光裝置使基板曝光;使經(jīng)曝光的基板顯影;以及從經(jīng)顯影的基板制造物品。
從以下示例性實施例的描述(參考附圖),本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
附圖說明
圖1是根據(jù)實施例的曝光裝置的配置圖。
圖2是圖示由于由厚膜光刻膠造成的散焦而引起的位置偏離的示例的圖。
圖3是圖示由于由厚膜光刻膠和階梯(step)式底層造成的散焦而引起的位置偏離的示例的圖。
圖4是圖示根據(jù)實施例的用于控制曝光裝置的方法的流程圖。
圖5是圖示擊射區(qū)域中的底層的層級差的示意圖。
圖6是圖示由于遠心度而引起的底層中的階梯造成的包括高階成分的圖像偏離的圖。
圖7是圖示用于校正擊射區(qū)域中的高階成分的圖案的示例的圖。
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