[發明專利]一種大尺寸硅片擴散工藝

有效

• 申請號: 202010003620.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN113078234B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發明（設計）人: 何秋霞;朱軍;楊韋;馬擎天
• 申請（專利權）人: 環晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種大尺寸硅片擴散工藝，其特征在于：將硅片放入擴散爐后，進行擴散，包括以下步驟，

穩定硅片表面溫度，減少硅片中心與邊緣的溫度差；所述穩定硅片表面溫度的步驟中，進行擴散爐的升溫，并通入氮氣，并進行溫度保持，其中，所述擴散爐溫度升溫至擴散溫度，所述擴散溫度為760-780℃，所述氮氣的流量為16-20slm，所述溫度保持時間為5-8min；

制備氧化層，進行硅片表面氧化；

低溫恒定源擴散，進行硅片表面沉積磷源：按照所述擴散溫度維持所述擴散爐溫度，并通入氮氣、氧氣和擴散源，并按照沉積時間進行沉積，所述氮氣流量為8-10slm；所述氧氣流量為1-1.3slm；所述擴散源的流量為0.8-1slm；所述沉積時間為10-15min；

高溫推進，便于形成PN結；

高溫通源，進行擴散補源：按照推進溫度保持擴散爐溫度，通入氮氣、氧氣和擴散源，并按照高溫沉積時間進行沉積，其中，所述擴散源為N₂-POCL3，所述推進溫度為840-860℃，所述氮氣流量為6-8slm，所述氧氣流量為0.1-0.2slm，所述擴散源流量為0.1-0.3slm，所述高溫沉積時間為2-5min；

二步推結，形成磷硅玻璃層；

降溫出爐。

2.根據權利要求1所述的大尺寸硅片擴散工藝，其特征在于：所述二步推結步驟中，按照所述推進溫度保持擴散爐溫度，通入氮氣，并按照推結時間進行推進，其中，所述氮氣流量為6-8slm，所述推結時間為3-5min。

3.根據權利要求1或2所述的大尺寸硅片擴散工藝，其特征在于：所述制備氧化層的步驟中，按照所述擴散溫度維持擴散爐溫度，并通入氧氣和氮氣，按照氧化時間對硅片進行氧化，其中，

所述氧氣的流量為1-3slm；

所述氮氣的流量為16-20slm；

所述氧化時間為3-5min。

4.根據權利要求3所述的大尺寸硅片擴散工藝，其特征在于：所述高溫推進步驟中，將擴散爐的溫度升溫至所述推進溫度，通入氮氣，并按照推進時間進行推進，其中，

所述氮氣流量為6-8slm；

所述推進時間為10-15min。

5.根據權利要求4所述的大尺寸硅片擴散工藝，其特征在于：所述降溫出爐步驟中，降低擴散爐溫度，將所述擴散爐溫度降低至出爐溫度，進行出舟，所述出爐溫度為740-760℃。