[發明專利]一種LED外延片及其制備方法

在審

• 申請號: 202010002935.9
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111009599A
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 滕龍;霍麗艷;吳洪浩;劉兆
• 申請（專利權）人: 江西乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 夏菁

1.一種LED外延片的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

對所述襯底進行加熱，并采用氮化氣體對所述襯底進行氮化處理，以在所述襯底表面形成翹曲控制層，其中所述氮化氣體至少包括氨氣；

在所述翹曲控制層表面依次形成N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化氣體為氨氣與氫氣的混合氣體；

或者，所述氮化氣體為氨氣與氮氣的混合氣體；

或者，所述氮化氣體為氨氣、氫氣和氮氣的混合氣體。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化氣體的總流量為20SLM～600SLM；

其中，氫氣的流量0SLM～300SLM，包括端點值，氮氣的流量7SLM～600SLM，包括端點值，氨氣的流量是1SLM～220SLM，包括端點值；

或者，氫氣的流量7SLM～300SLM，包括端點值，氮氣的流量0SLM～600SLM，包括端點值，氨氣的流量是1SLM～220SLM，包括端點值。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，氨氣、氮氣和氫氣的比例為1:0:300～1:0.1:1；

或者，氨氣、氮氣和氫氣的比例為1:600:0～1:0.1:1。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化處理的時間為0.5min～20min；

所述氮化處理的溫度為600℃～1200℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述襯底進行氮化處理包括：

采用恒溫的方式對所述襯底進行氮化處理；

或者，采用漸變升溫的方式對所述襯底進行氮化處理。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述翹曲控制層表面依次形成N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層之前，還包括：

在所述翹曲控制層表面形成緩沖層；

或者，在所述翹曲控制層表面依次形成緩沖層和非摻雜半導體層。

8.一種LED外延片，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底表面的翹曲控制層、依次位于所述翹曲控制層表面的N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層；

其中，所述翹曲控制層是通過對所述襯底進行加熱，并采用氮化氣體對所述襯底進行氮化處理形成的，所述氮化氣體至少包括氨氣。

9.根據權利要求8所述的LED外延片，其特征在于，所述襯底為PSS鍍AlN襯底或藍寶石襯底。

10.根據權利要求8所述的LED外延片，其特征在于，還包括位于所述翹曲控制層和所述N型半導體層之間的緩沖層；

或者，還包括依次位于所述翹曲控制層和所述N型半導體層之間的緩沖層和非摻雜半導體層。