[發明專利]硅光子芯片光功率測量裝置、設備、系統及測量方法

在審

• 申請號: 202010002907.7
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN110955002A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 田桂霞;洪小剛;陳奔;王潔;馮振陽
• 申請（專利權）人: 亨通洛克利科技有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42;G01J1/00
• 代理公司: 蘇州睿昊知識產權代理事務所(普通合伙) 32277
• 代理人: 馬小慧

1.一種硅光子芯片光功率測量裝置，所述硅光子芯片上設有硅光波導其特征在于：所述硅光子芯片光功率測量裝置包括，

光反射部件，其配置于所述硅光波導出射光的傳輸路徑上，所述硅光波導的出射光經所述光反射部件反射后產生反射光進入空氣中傳輸；

光整形部件，其配置于所述反射光的傳輸路徑上，用于將發散的所述反射光集束后輸出；

光功率探測器，其用于接收光整形部件輸出的反射光光束，并測量所述反射光光束的光功率。

2.如權利要求1所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述硅光子芯片的光纖匹配槽內橫臥有棒體，所述棒體的外徑與光纖匹配槽的尺寸相匹配；所述棒體靠近硅光波導的端部加工有反射面，所述反射面形成所述光反射部件。

3.如權利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述反射面與光纖匹配槽所在平面的夾角為45°±5°，所述硅光波導的出射光經反射面反射后產生的反射光方向與出射光方向垂直。

4.如權利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述棒體為玻璃棒或光纖棒。

5.如權利要求2所述的硅光子芯片光功率測量裝置，其特征在于：所述反射面與硅光波導的出光面之間具有安全間隙，所述安全間隙為0.15～0.25mm。

6.一種硅光子芯片光功率測量方法，所述硅光子芯片上設有硅光波導，其特征在于：所述測量方法包括，

通過光反射部件將所述硅光波導的出射光反射進入空氣中；

通過光整形部件調整發散的所述反射光為光束后輸出；

通過光功率探測器測量出所述光整形部件輸出的反射光光束的光功率。

7.一種晶圓級硅光子芯片光功率測量設備，所述晶圓具有陣列排布的多個硅光子芯片，其特征在于：其包括多組如權利要求1-5任一項所述的硅光子芯片光功率測量裝置，所述多組硅光子芯片光功率測量裝置一一對應的測量所述多個硅光子芯片的光功率。

8.如權利要求7所述的晶圓級硅光子芯片光功率測量設備，其特征在于：所述光整形部件為多組透鏡，所述多組透鏡一一對應的調整多組光反射部件輸出的反射光。

9.如權利要求7所述的晶圓級硅光子芯片光功率測量設備，其特征在于：所述光整形部件為一組消像差透鏡，所述一組消像差透鏡調整多組光反射部件輸出的反射光。

10.一種晶圓級硅光子芯片光功率測量系統，其特征在于：包括如權利要求7-9任一項所述的晶圓級硅光子芯片光功率測量設備；其還包括，

圖像識別模塊，其基于圖像識別確定硅光子芯片的正負極和光纖匹配槽的位置；

位置調節模塊，其根據圖像識別模塊確定的硅光子芯片正負極和光纖匹配槽位置調整探針和晶圓級硅光子芯片光功率測量設備的位置，通過所述探針給硅光子芯片的激光器供電，通過晶圓級硅光子芯片光功率測量設備測量晶圓上多組硅光子芯片的出光功率；

可視化輸出模塊，所述多組硅光子芯片的出光功率通過可視化輸出模塊實時輸出。