[發(fā)明專利]一種基于激光納米加工技術(shù)的垂直互連基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010002827.1
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111163582B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉凱;張誠;丁蕾;羅燕;任衛(wèi)朋;王立春
• 申請（專利權(quán)）人: 上海航天電子通訊設備研究所
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/09;H05K1/11;H05K3/00;H05K3/04;H05K3/10;H05K3/18;H05K3/42
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 賀姿;胡晶

1.一種基于激光納米加工技術(shù)的垂直互連基板制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一基板，所述基板包括LCP基材及覆于所述LCP基材兩側(cè)的第一金屬層和第二金屬層；

S2：將所述第一金屬層通過介質(zhì)層光刻、腐蝕、去膠，形成第一電路布線層；

S3：根據(jù)通孔在所述第一電路布線層中的預設位置，采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔，所述盲孔的底部與所述第二金屬層相連，清除所述盲孔內(nèi)殘屑和氧化層，并對所述盲孔的孔壁進行活化處理；

S4：在所述第二金屬層上預留電沉積觸點后，對所述第二金屬層的剩余區(qū)域通過設置介質(zhì)層進行保護；

S5：將所述基板置于電沉積液中進行電沉積，直至所述盲孔填充滿，所述盲孔內(nèi)形成實心金屬通柱；

S6：將所述第一電路布線層通過設置介質(zhì)層進行保護；

S7：將所述第二金屬層通過介質(zhì)層光刻、腐蝕、去膠，形成第二電路布線層，所述第一電路布線層與所述第二電路布線層通過所述實心金屬通柱垂直互連；

S8：除去所述第一電路布線層上的保護介質(zhì)；

所述步驟S3中的采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔進一步包括如下步驟：

S311：通過介質(zhì)層光刻、腐蝕、去膠將所述盲孔對應位置處的位于所述第一電路布線層上的金屬除去；

S312：采用激光將所述盲孔對應位置處的LCP基材燒蝕除去，并保留所述盲孔對應位置處的所述第二金屬層上的金屬；

所述基板上設有鏤空的對準標記，用于確保所述第一電路布線層與所述第二電路布線層之間的通孔互連精度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于激光納米加工技術(shù)的垂直互連基板制造方法，其特征在于，所述步驟S3中的采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔，所述盲孔的尺寸與布線 的寬度和間距相匹配。

3.一種基于激光納米加工技術(shù)的垂直互連基板制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：提供一基板，所述基板包括LCP基材及覆于所述LCP基材兩側(cè)的第一金屬層和第二金屬層；

S2：根據(jù)通孔在所述第一金屬層中的預設位置，采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔，所述盲孔的底部與所述第二金屬層相連，清除所述盲孔內(nèi)殘屑和氧化層，并對所述盲孔的孔壁進行活化處理；

S3：在所述第二金屬層上預留電沉積觸點后，對所述第二金屬層的剩余區(qū)域通過設置介質(zhì)層進行保護；

S4：將所述基板置于電沉積液中進行電沉積，直至所述盲孔填充滿，所述盲孔內(nèi)形成實心金屬通柱；

S5：將所述第一金屬層及所述第二金屬層通過介質(zhì)層光刻、腐蝕、去膠，在所述第一金屬層上形成第一電路布線層，在所述第二金屬層上形成第二電路布線層，所述第一電路布線層與所述第二電路布線層通過所述實心金屬通柱垂直互連；

所述步驟S2中的采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔進一步包括如下步驟：

S211：通過介質(zhì)層光刻、腐蝕、去膠將所述盲孔對應位置處的位于所述第一金屬層上的金屬除去；

S212：采用激光將所述盲孔對應位置處的LCP基材燒蝕除去，并保留所述盲孔對應位置處的所述第二金屬層上的金屬；

所述基板上設有鏤空的對準標記，用于確保所述第一電路布線層與所述第二電路布線層之間的通孔互連精度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于激光納米加工技術(shù)的垂直互連基板制造方法，其特征在于，所述步驟S2中的采用激光納米加工技術(shù)在所述基板上的相應位置處開設盲孔，所述盲孔的尺寸與布線 的寬度和間距相匹配。