[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010002480.0 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111180493B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 任雅磊;郭雙 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。顯示面板包括:基板;若干分立的電極層,相鄰電極層之間具有間隔區(qū);若干分立的光學互補層,光學互補層在基板上的正投影與間隔區(qū)在基板上的正投影至少部分交疊,光學互補層用于提高外界光經(jīng)由間隔區(qū)對應區(qū)域后以及經(jīng)由電極層對應區(qū)域后的光線傳輸方向一致性。通過設置與電極層之間的間隔區(qū)位置對應的光學互補層,光學互補層用于提高外界光經(jīng)由間隔區(qū)對應區(qū)域后以及經(jīng)由電極層對應區(qū)域后的光線傳輸方向一致性,進而減少屏下采光區(qū)的光學衍射現(xiàn)象,提升屏下拍攝設備的成像質(zhì)量。
技術領域
本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術
手機、平板電腦等終端設備除包括顯示屏外,還通常具有攝像頭、揚聲器、聽筒等功能器件。隨著終端設備不斷智能化和移動化,終端設備的功能不斷豐富,其內(nèi)置的功能器件也越來越多。
為了提高終端設備的顯示屏占比,應用于全面屏技術的顯示面板應運而生。然而,現(xiàn)有的顯示面板的性能仍有待提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置,改善顯示面板的性能。
本發(fā)明實施例提供一種顯示面板,包括:基板,所述基板包括采光區(qū),位于所述采光區(qū)的所述基板下方用于設置外接拍攝設備;位于所述采光區(qū)的若干分立的電極層,相鄰所述電極層之間具有間隔區(qū);若干分立的光學互補層,所述光學互補層在所述基板上的正投影與所述間隔區(qū)在所述基板上的正投影至少部分交疊,所述光學互補層用于提高外界光經(jīng)由所述間隔區(qū)對應區(qū)域后以及經(jīng)由所述電極層對應區(qū)域后的光線傳輸方向一致性。
另外,所述電極層的折射率與所述光學互補層的折射率的差值絕對值小于或等于0.1;優(yōu)選地,所述電極層的折射率與所述光學互補層的折射率相同;優(yōu)選地,所述電極層的消光系數(shù)與所述光學互補層的消光系數(shù)的差值絕對值小于或等于0.01;優(yōu)選地,所述電極層的消光系數(shù)與所述光學互補層的消光系數(shù)相同。由于電極層的折射率與光學互補層的折射率接近或者相同,且電極層的消光系數(shù)與光學互補層的消光系數(shù)接近或者相同,即光學互補層的光學性能與電極層的光學性能差異很小甚至相同,因而能夠盡可能的減小光學互補層與電極層的光學性能差異不同而帶來的影響光程差的問題,進一步的改善光的衍射問題。
另外,所述光學互補層的材料與所述電極層的材料相同;或者,所述光學互補層的材料為絕緣材料。通過設置與電極層材料相同的光學互補層,便于在同一步制造工藝中形成電極層和光學互補層,簡化制造工藝,且由相同材料制成的電極層和光學互補層具備相同的光學性質(zhì),可以進一步減少屏下攝像頭區(qū)域的光學衍射情況;而光學互補層材料為絕緣材料時可以避免電極層之間發(fā)生電連接,且由于光學互補層為絕緣材料,電極層和光學互補層可以同層設置,從而有利于降低顯示面板的厚度。
另外,所述間隔區(qū)在所述基板上的正投影與所述光學互補層在所述基板上的正投影完全重合;或者,所述光學互補層在所述基板上的正投影在所述間隔區(qū)在所述基板上的正投影內(nèi),或者,所述間隔區(qū)在所述基板上的正投影在所述光學互補層在所述基板上的正投影內(nèi);優(yōu)選地,在平行于相鄰所述電極層排列方向上,所述光學互補層靠近所述電極層的側(cè)壁與所述電極層靠近所述光學互補層的側(cè)壁之間的距離小于或等于0.3μm。光學互補層和電極層之間相對的側(cè)面間距在較小的范圍內(nèi),可以進一步減少光學衍射情況,并降低對顯示面板制造精度的要求。
另外,所述電極層和所述光學互補層同層設置或不同層設置;優(yōu)選地,當所述電極層和所述光學互補層同層設置時,所述光學互補層的材料為絕緣材料。提供了電極層和光學互補層多種可設置的方式。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





