[發明專利]膜層結構、膜層結構沉積方法及設備在審
| 申請號: | 202010002255.7 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111139451A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 左明光 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/14 | 分類號: | C23C16/14;C23C16/455;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陳敏 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 結構 沉積 方法 設備 | ||
1.一種膜層結構沉積方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一批次基底;及
采用原子層沉積工藝同時于該批次所述基底上沉積膜層結構。
2.根據權利要求1所述的膜層結構沉積方法,其特征在于:采用原子層沉積工藝同時于該批次所述基底上沉積所述膜層結構包括:執行若干個沉積周期,各所述沉積周期均包括如下步驟:
向該批所述基底提供前驅體,所述前驅體吸附于所述基底上;
對該批次所述基底進行第一次吹掃;
向該批次所述基底提供還原性氣體,所述還原性氣體與所述基底上吸附的所述前驅體反應以于所述基底上形成薄膜層;
對該批次所述基底進行第二次吹掃;
各所述沉積周期形成的所述薄膜層共同構成所述膜層結構。
3.根據權利要求2所述的膜層結構沉積方法,其特征在于:所述膜層結構包括鎢膜層結構;所述前驅體包括含鎢前驅體,所述還原性氣體包括含氫還原性氣體;使用惰性氣體對所述基底進行第一次吹掃及第二次吹掃。
4.根據權利要求2所述的膜層結構沉積方法,其特征在于,向該批次所述基底提供所述還原性氣體的同時向該批次所述基底提供鈍化氣體,所述鈍化氣體用于鈍化所述還原性氣體與所述前驅體的反應速率。
5.根據權利要求4所述的膜層結構沉積方法,其特征在于,所述鈍化氣體包括氮氣。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的膜層結構沉積方法,其特征在于,將該批次所述基底裝載于晶舟上,并將裝載有該批次所述基底的所述晶舟傳送至管式爐內,于所述管式爐內采用原子層沉積工藝同時于該批次所述基底上沉積膜層結構。
7.一種膜層結構,其特征在于,所述膜層結構采用如權利要求1至6中任一項所述的沉積方法而形成。
8.一種膜層結構沉積設備,其特征在于,包括:
管式爐;
晶舟,用于裝載一批次基底,并將該批次基底傳送至所述管式爐內;及
原子層沉積系統,用于同時于該批次所述基底上沉積膜層結構。
9.根據權利要求8所述的膜層結構沉積設備,其特征在于:所述原子沉積系統包括:
前驅體供給系統,與所述管式爐內部相連通,用于向所述管式爐內提供前驅體;
還原性氣體供給系統,與所述管式爐內部相連通,用于向所述管式爐內提供還原性氣體;
吹掃系統,與所述管式爐內部相連通,用于在所述前驅體供給系統向所述管式爐內提供前驅體后及所述還原性氣體供給系統向所述管式爐內提供還原性氣體后對所述管式爐內進行吹掃。
10.根據權利要求9所述的膜層結構沉積設備,其特征在于:所述前驅體供給系統包括含鎢前驅體供給系統,所述還原性氣體供給系統包括含氫還原性氣體供給系統,所述吹掃系統包括惰性氣體吹掃系統。
11.根據權利要求8至10中任一項所述的膜層結構沉積設備,其特征在于:所述膜層結構沉積設備還包括鈍化氣體供給系統,與所述管式爐內部相連通,用于在所述還原性氣體供給系統向所述管式爐內提供所述還原性氣體的同時向所述管式爐內提供鈍化氣體;所述鈍化氣體用于鈍化所述還原性氣體與所述前驅體的反應速率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





