[發明專利]像素電路及其驅動方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 202010001983.6
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111048041B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 周茂清;陳菲;向東旭
• 申請（專利權）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種像素電路，其特征在于，包括：驅動晶體管、存儲電容、數據寫入模塊、復位模塊、閾值補償模塊和有機發光元件；

所述數據寫入模塊與所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一極板電連接，用于在數據寫入階段將數據信號寫入所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一極板；

所述復位模塊與所述存儲電容的第二極板電連接，用于在所述數據寫入階段將復位信號寫入所述存儲電容的第二極板；

所述閾值補償模塊與所述存儲電容的第二極板電連接，用于在閾值補償階段將閾值補償信號寫入所述存儲電容的第二極板，以使所述存儲電容的第一極板的電位調整為第一電位，并對所述驅動晶體管進行閾值補償；其中，所述閾值補償信號大于所述復位信號；

所述驅動晶體管與所述有機發光元件電連接，用于在發光階段向所述有機發光元件提供驅動電流，以驅動所述有機發光元件發光。

2.根據權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述閾值補償模塊包括第一晶體管；所述第一晶體管的閾值電壓為第一閾值電壓；

所述閾值補償信號包括所述第一閾值電壓。

3.根據權利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述驅動晶體管的閾值電壓為第二閾值電壓；

所述第一閾值電壓與所述第二閾值電壓的差值在預設范圍內。

4.根據權利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述第一晶體管的有源層包括第一溝道，所述驅動晶體管的有源層包括第二溝道；

所述第一溝道與所述第二溝道之間的間距W滿足：2.5μm≤W≤4.5μm。

5.根據權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述閾值補償模塊包括第一晶體管，所述復位模塊包括第三晶體管，所述數據寫入模塊包括第二晶體管；

所述第一晶體管的第一電極與所述有機發光元件的陽極連接，所述第一晶體管的第二電極和所述第一晶體管的柵極均與所述存儲電容的第二極板電連接；

所述第三晶體管的第一電極接收復位信號，所述第三晶體管的第二電極與所述存儲電容的第二極板電連接，所述第三晶體管的柵極接收第一掃描信號；

所述第二晶體管的第一電極接收數據信號，所述第二晶體管的第二電極與所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一極板電連接，所述第二晶體管的柵極接收第一掃描信號；

所述驅動晶體管的第一電極接收電源信號，所述驅動晶體管的第二電極與所述有機發光元件的陽極電連接；所述有機發光元件的陰極接收低電平信號。

6.根據權利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述像素電路還包括連接走線；所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第三晶體管分別通過不同的所述連接走線與所述存儲電容電連接；

所述連接走線的線寬L1滿足1.5μm≤L1≤2.5μm；

所述第一晶體管在參考平面上的垂直投影的最大延伸長度為L2，其中，L2≤3μm；其中，所述參考平面與所述第一晶體管的有源層所在平面平行；

所述第二晶體管在所述參考平面上的垂直投影的最大延伸長度為L3，其中，L3≤3μm；

所述第三晶體管在所述參考平面上的垂直投影的最大延伸長度為L4，其中，L4≤3μm。

7.根據權利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述存儲電容的第一極板復用所述驅動晶體管的柵極。

8.一種像素電路的驅動方法，其特征在于，應用于如權利要求1～7任一項所述的像素電路，所述驅動方法包括：

在數據寫入階段，數據寫入模塊將數據信號寫入驅動晶體管的柵極和存儲電容的第一極板，以及復位模塊將復位信號寫入所述存儲電容的第二極板，以使所述存儲電容的第二極板的電位等于所述復位信號的電位；

在閾值補償階段，閾值補償模塊將閾值補償信號寫入所述存儲電容的第二極板，以使所述存儲電容的第二極板的電位等于所述閾值補償信號的電位，并對所述驅動晶體管進行閾值補償；其中，所述閾值補償信號大于所述復位信號；

在發光階段，所述驅動晶體管向有機發光元件提供驅動電流，以驅動所述有機發光元件發光。