[發明專利]硅量子點光刻膠、彩膜層、OLED顯示結構及顯示器有效
| 申請號: | 202010001754.4 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN113064324B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 申曉斌 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/016 | 分類號: | G03F7/016;G03F7/004;H10K59/12;H10K50/86 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 光刻 彩膜層 oled 顯示 結構 顯示器 | ||
本申請公開了一種硅量子點光刻膠、彩膜層、OLED顯示結構及顯示器,包括光引發劑、酚醛樹脂衍生物和重氮萘酚衍生物,還包括單色硅量子點;所述單色硅量子點占所述光引發劑、酚醛樹脂衍生物和重氮萘酚衍生物總質量的2%?7%。根據本申請實施例提供的技術方案,通過利用無重金屬元素、光學性質佳、化學穩定性較好的硅量子點作為量子點發光單元,引入光刻膠中,在制備過程中,避免了重金屬量子點的使用,更為綠色環保。可將其應用于包括但不限于液晶LCD、OLED等顯示器件中,通過光刻工藝圖案化后,達到彩色顯示目的。制作出的基于硅量子點彩膜的顯示器件能具備更高的亮度、更廣的色域和更優的色純度。
技術領域
本發明一般涉及光刻膠領域,尤其涉及硅量子點光刻膠、彩膜層、?OLED顯示結構及顯示器。
背景技術
隨著顯示技術的發展,人們對顯示器件的顯示質量要求也越來越高。實現全彩化的傳統方式以白光LCD(Liquid?Crystal?Display,液晶顯示器)和白光OLED(WOLED,WhiteOrganic?Light-Emitting?Diode,白光有機發光半導體)為背光源,彩膜層(CF,ColourFilter)轉化白光為RGB三色,所以決定器件顯示質量的關鍵核心部分之一為彩色過濾層。常規的彩色過濾層由彩色光刻膠圖形化后獲得,這些彩色光刻膠主要由顏料樹脂和光刻膠組成,顏料樹脂本身存在透過率較低,透過光譜較寬的缺陷,導致制成的器件較難實現高亮度、高色域的顯示要求。因此,由量子點替代普通顏料樹脂制成光刻膠的量子點光刻膠應運而生,將其應用在顯示器件中,可以使顯示器件實現兼具高亮度、高色域、高色純的顯示要求。
量子點(Quantum?Dots,簡稱QDs)通常是由II-VI、或I-III-VI?族元素組成的球狀半導體納米晶體,顆粒直徑一般在幾納米至數十納米之間。由于粒徑接近材料的波爾半徑,因此會產生量子限域效應,能級結構由連續變為離散,導致QDs展現出獨特的受激發光的現象。一般而言,QDs尺寸越小,能級帶隙增大,受激后輻射出能量更高的可見光,表現為“藍移現象”,如硒化鎘(CdSe)的尺寸從6.6nm減小至2.0nm,其發光波長從630nm藍移至460nm。QDs的摩爾吸光系數較高,具有很高的光轉化效率,半峰寬極窄,一般小于25nm,是一種完美的可替代顏料樹脂的全彩化顯示材料。然而,一般要制作量子點光刻膠,需要將量子點分散于光刻膠中,由于光刻膠中具有起始劑、聚合物單體、聚合物、添加劑等多種高分子材料,量子點的表面化學環境復雜,對量子點的發光效率影響很大;而在合成傳統量子點過程中,重金屬元素,如Cd、In、Pb等的引入,會造成成本增加、人體危害和環境污染,不利于量產。
硅作為一種間接帶隙半導體,其發光性能一直不受關注。隨著介孔納米硅光致發光效應被發現后,人們長久以來夢寐以求的全硅光子集成器件的制作成為了可能。隨著進一步的研究,研究者發現硅的光致發光現象由量子限域效應引起。當硅粒子尺寸減小至近波爾半徑后,間接帶隙逐步變成類直接帶隙,電子空穴輻射復合的概率增大,出現光致發光現象,這些粒子被統稱為硅量子點(SiQDs)。經過多年發展,研究者已經可以成功制備橫跨整個可見光譜的SiQDs,且半峰寬可控制在20nm以內,內量子效率接近100%。更為重要的是,SiQDs表面修飾簡單,可在其表面修飾上能與所述光刻膠單體發生共聚的可聚合基團,在光刻過程中原位成膜,提高其成膜的分散性和均一性,在保證出光效率的同時,避免了重金屬量子點的引入。
發明內容
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足,期望提供一種硅量子點光刻膠、彩膜層、OLED顯示結構及顯示器。
第一方面,提供一種硅量子點光刻膠,其特征在于,包括光引發劑、酚醛樹脂衍生物和重氮萘酚衍生物,還包括單色硅量子點;
所述單色硅量子點的摻雜濃度為占所述光引發劑、酚醛樹脂衍生物和重氮萘酚衍生物總質量的2%-7%。
第二方面,提供一種彩膜層,包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素,所述紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素均采用上述硅量子點光刻膠制備。
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