[發明專利]三維存儲器的溝槽結構測量方法、裝置、設備及介質

有效

• 申請號: 202010001405.2
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111223787B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 譚偉良;劉高山
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳會英;劉芳

本發明提供了一種三維存儲器的溝槽結構測量方法、裝置、設備及介質，包括：獲取所述三維存儲器的顯微圖像；根據所述顯微圖像，確定孔道邊界特征曲線；根據所述孔道邊界特征曲線，確定孔道中的溝槽結構的底部位置坐標；提取所述顯微圖像中存儲層與溝道層的交界線位置坐標；根據所述底部位置坐標和交界線位置坐標，確定溝槽結構深度；輸出所述溝槽結構深度。通過對三維存儲器的顯微圖像進行圖像處理和自動識別，確定三維存儲器的溝槽結構深度，由于利用了顯微圖像進行自動識別，可以更準確和快速的定位溝槽結構的底部位置和交界線位置，實現了對三維存儲器的溝槽結構深度的自動測量，提高了測量效率和準確度。

技術領域

本發明涉及存半導體存儲器領域，尤其涉及一種三維存儲器的溝槽結構測量方法、裝置、設備及介質。

背景技術

隨著存儲技術的發展，平面結構的NAND閃存逐漸接近其擴展的極限，為了實現更大容量的儲存功能，一種新興的閃存技術—3D?NAND(三維存儲器技術)被提出，它通過垂直堆疊多層數據存儲單元，從而解決了平面NAND閃存帶來的限制，將存儲設備的容量提升了數倍。

現有技術中，對三維存儲器的存儲單元的都是在高深寬比的孔道中形成的，孔道底部具有溝槽結構，溝槽結構深度是從孔道最深處到存儲層與溝道層的交界處的垂直距離，溝槽結構深度能夠直接決定存儲器件的性能。通過對三維存儲器樣品進行取樣、切片和觀察，能夠得到三維存儲器樣品的溝槽結構深度。

但目前，對三維存儲器的溝槽結構的測量方法，還是通過手工測量，因此存在測量效率低，準確度差的問題。

發明內容

本發明提供一種三維存儲器的溝槽結構測量方法、裝置、設備及介質，用以解決三維存儲器的溝槽結構測量過程中，測量效率低，準確度差的問題。

根據本公開實施例的第一方面，本發明提供了一種三維存儲器的溝槽結構測量方法，所述方法包括：

獲取所述三維存儲器的顯微圖像；

根據所述顯微圖像，確定孔道邊界特征曲線；

根據所述孔道邊界特征曲線，確定孔道中的溝槽結構的底部位置坐標；

提取所述顯微圖像中存儲層與溝道層的交界線位置坐標；

根據所述底部位置坐標和交界線位置坐標，確定溝槽結構深度；

輸出所述溝槽結構深度。

可選地，所述根據所述顯微圖像，確定孔道邊界特征曲線，包括：

獲取所述顯微圖像中的每個像素點的像素信息；所述像素信息包括像素坐標和與所述像素坐標對應的像素值；

根據預設的第一圖像處理策略和所述像素信息，確定孔道邊界特征曲線。

可選地，所述像素坐標包括像素橫坐標和像素縱坐標，所述根據預設的第一圖像處理策略和所述像素信息，確定孔道邊界特征曲線，包括：

獲取同一像素橫坐標對應的所有像素點的像素值；

計算所述對應的所有像素點的像素值的累加值；

根據每個像素橫坐標下的累加值確定所述孔道邊界特征曲線；所述孔道邊界特征曲線的橫坐標取值為所述像素橫坐標對應的像素橫坐標序列，縱坐標的取值為所述累加值對應的累加值序列。

可選地，所述底部位置坐標包括底部位置橫坐標和底部位置縱坐標；所述根據所述孔道邊界特征曲線，確定孔道中的溝槽結構的底部位置坐標，包括：

根據所述像素橫坐標序列，獲取所述孔道邊界特征曲線的波峰位置對應的波峰橫坐標；

根據所述波峰橫坐標的間隔，獲取孔道區間；