[發明專利]一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法

在審

• 申請號: 202010000836.7
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111052943A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 鮑青松;年寧寧;郗世琦
• 申請（專利權）人: 北京天卉源綠色科技研究院有限公司
• 主分類號: A01G2/10
• 分類號: A01G2/10;A01G22/60;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/20;A01G24/22;A01G24/23;A01G24/28;A01G24/30;A01G24/46;A01C21/00
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1.一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：包括如下步驟：

A、生產前準備

選擇菊花品種、穴盤；

B、配制基質

基質由底層基質、中層基質、表層基質組合而成；

底層基質的原料包括泥炭土34-50份、蘑菇廢料20-30份、活性炭顆粒8.6-13.5份、氧化鋁顆粒4.5-7份、海綿顆粒9-14份、鋸木屑8-10份、珍珠巖13-17份、蛭石12-18份；底層基質的原料混合均勻后，將其鋪設在穴盤內，且底層基質的深度為穴盤深度的2/5；

中層基質的原料包括黑炭土20-30份、微生物污泥8-12份、細胞分裂素2.5-3.5份、活性炭顆粒7.5-10份、氧化鋁顆粒11-15份、珍珠巖14-20份、蛭石4.5-8份；中層基質的原料混合均勻后，將其鋪設在底層基質表面，且中層基質的深度為穴盤深度的1/5；

表層基質為碎木屑、碎草、枯樹葉中的一種或幾種，并將其鋪設在中層基質表面，且表層基質的深度為穴盤深度的1/5；

C、修剪插條

選擇沒有柳芽、花蕾的插穗，在插穗長度4-5cm處進行修剪，并將插穗的底部剪成斜口，形成插條，插條上帶有2-3個分枝，且插條的葉子剪一半、保留一半；

D、插條扦插

在7月20日-7月25日，溫度為20-30℃、濕度為80-90%的條件下，將插條的基部沾生根粉，然后在穴盤的基質上預插一個扦插孔，之后將插條扦插到扦插孔內，進行扦插，插條的插入深度為基質深度的2/3，且插條當天取當天插，插條扦插完成后，利用多菌靈溶液對插條進行噴霧；

E、植株生長養護

插條基部長出根系并形成植株，待有50%以上的插條長出4-6個根系后，采用300ppm的水溶肥20-10-20和300ppm的水溶肥14-0-14交替對植株進行增肥，每周2-3次，期間，同時采用5-8ppm的多效唑進行灌根，以控制植株徒長；

F、短日照處理

在8月3日-8月7日，控制濕度為90%，并開始對植株進行短日照，早上8點開始進行照光，光照強度小于等于20Lux，溫度為25-30℃，到18點開始進行避光，溫度為10-15℃，同時采用150ppm的水溶肥10-30-20進行施肥，每周1-2次，持續到花蕾吐色或花蕾直徑到達到5-10mm為止，期間，同時采用5-8ppm的多效唑進行灌根，以控制植株徒長；

G、開花養護

停止短日照后，將穴盤內的植株稀疏一倍，并對植株進行追肥，直至開花。

2.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：在開花養護期間，追肥采用300ppm的水溶肥20-10-20、300ppm的水溶肥14-0-14中的一種。

3.根據權利要求2所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：在開花養護期間，采用150ppm的水溶肥10-30-20對植株進行施肥，以保持植株開花鮮亮。

4.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：短日照處理期間，采用300ppm的水溶肥14-0-14對植株進行施肥，以防止植株萎蔫。

5.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：短日照處理期間，采用拱棚覆蓋地布的方式對植株進行短日照處理。

6.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：插條扦插中，生根粉為濃度800-1000ppm的生根粉IBA。

7.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：插條扦插中，多菌靈溶液的重量濃度為0.1%。

8.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：生產前準備中，菊花品種選用球菊，且球菊的顏色為黃色、粉色、紫色、白色、紅色中的一種或幾種。

9.根據權利要求1所述的一種國慶期間菊花開花穴盤苗生產方法，其特征在于：生產前準備中，穴盤為72孔穴盤。