[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202010000737.9 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111415955A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 陳嘉源;蔡宗翰;李冠鋒;吳湲琳 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/48;H01L51/56;H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,包括:
提供一陣列模塊,其具有至少一個第一對準標記;
提供一發光模塊,其具有至少一個第二對準標記;
借由該至少一個第一對準標記及該至少一個第二對準標記,使該發光模塊對齊該陣列模塊;以及
將該發光模塊接合至該陣列模塊。
2.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,使該發光模塊對齊至該陣列模塊包括:使該至少一個第二對準標記及該至少一個第一對準標記靠近至一檢測區。
3.如權利要求2所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,使該發光模塊對齊至該陣列模塊包括,使該至少一個第二對準標記及該至少一個第一對準標記靠近至該檢測區后,檢測該至少一個第二對準標記與該至少一個第一對準標記之間的一距離,并比較該距離與一預定值。
4.如權利要求3所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,使該發光模塊對齊至該陣列模塊包括:比較該距離與該預定值后,若該距離大于該預定值,則減少該距離直到該距離小于或等于該預定值為止。
5.如權利要求3所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,該顯示裝置包括多個像素,該預定值小于或等于該多個像素的一像素間距的一半。
6.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,該發光模塊包括多個發光元件及一基板,該多個發光元件設置于該基板上,該制造方法更包括:
將該發光模塊接合至該陣列模塊后,移除該基板。
7.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,該至少一個第一對準標記的一數量大于該至少一個第二對準標記的一數量。
8.一種顯示裝置,包括:
一陣列模塊,其具有一第一對準標記,該陣列模塊包括:
一第一基板;
一電路層,設置于該第一基板上;以及
多個導電墊,設置于該電路層上;以及
一發光模塊,其具有一第二對準標記,該發光模塊包括:
一第二基板;以及
多個發光元件,設置于該第二基板上,其中該多個發光元件的至少一者與該多個導電墊的至少一者電性連接;
其中該第二對準標記與該第一對準標記對齊。
9.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第一對準標記與該第二對準標記為不同形狀。
10.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,在一剖視圖中,該第二對準標記的一長度大于該第一對準標記的一長度。
11.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該顯示裝置包括多個像素,其中該第一對準標記與該第二對準標記之間的一距離小于該多個像素的一像素間距的一半。
12.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第一對準標記形成在該電路層內。
13.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第一對準標記與該多個導電墊由相同制程形成。
14.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第二對準標記形成于該第二基板內。
15.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第二對準標記不與該多個發光元件重疊。
16.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該顯示裝置包括多個像素,其中該第二對準標記的一面積小于該顯示裝置的一像素的一面積。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群創光電股份有限公司,未經群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010000737.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





