[發(fā)明專利]清洗液生成裝置及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010000721.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111180363A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白靖宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 劉戀;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 生成 裝置 方法 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種清洗液生成裝置和方法,在清洗液生成裝置的液體存儲(chǔ)室中存儲(chǔ)混合后的化學(xué)原液;所述化學(xué)原液至少包括:第一溶液、去離子水、第二溶液;第一溶液和第二溶液均為酸性溶液;通過清洗液生成裝置的第一管道將所述混合后的化學(xué)原液輸送至所述清洗液生成裝置的第三管道;在清洗液生成裝置的氣體發(fā)生器中產(chǎn)生具有氧化性的氣體;通過清洗液生成裝置的第二管道將所述氣體輸送至所述第三管道;將所述混合后的化學(xué)原液和所述氣體在所述第三管道中混合,生成用于清洗晶圓的清洗液。如此,能夠提供氧化性強(qiáng)的清洗液、達(dá)到良好的清洗效果;同時(shí),清洗液中的混合后的化學(xué)原液可以持續(xù)使用,化學(xué)原液不需要頻繁更換,清洗效率高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種清洗液生成裝置及方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造過程中,需要在晶圓上進(jìn)行各種工藝處理,如蝕刻、氧化、沉積、去光阻以及化學(xué)機(jī)械研磨等。這些工藝處理,在實(shí)現(xiàn)晶圓功能的同時(shí),都會(huì)或多或少的在晶圓表面產(chǎn)生污染物,如有機(jī)附著物、金屬附著物以及氧化膜等。因此,在晶圓的制造過程中,需要利用氧化性的清洗液的多次清洗來清除污染物。
然而,相關(guān)技術(shù)中的清洗液存在氧化性差、清洗效果不佳以及清洗液中的化學(xué)原液更換頻率高、清洗效率低的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決相關(guān)技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提出一種清洗液生成裝置和方法,能夠提供氧化性強(qiáng)的清洗液、達(dá)到良好的清洗效果;同時(shí),清洗液中的混合后的化學(xué)原液可以持續(xù)使用,化學(xué)原液不需要頻繁更換,清洗效率高。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種清洗液生成裝置,包括:
液體存儲(chǔ)室、第一管道、氣體發(fā)生器、第二管道及第三管道;其中,
所述液體存儲(chǔ)室,用于存儲(chǔ)混合后的化學(xué)原液;所述化學(xué)原液至少包括:第一溶液、去離子水、第二溶液;所述第一溶液和所述第二溶液均為酸性溶液;
所述混合后的化學(xué)原液通過所述第一管道被輸送至所述第三管道;
所述氣體發(fā)生器,用于產(chǎn)生具有氧化性的氣體;所述氣體通過所述第二管道被輸送至所述第三管道;
所述混合后的化學(xué)原液和所述氣體在所述第三管道被混合,生成用于清洗晶圓的清洗液。
上述方案中,所述清洗液生成裝置還包括管道連接器,所述管道連接器上設(shè)置有第一端口、第二端口及第三端口;所述第一管道的輸出端口與所述第一端口相連,所述第二管道的輸出端口與所述第二端口相連,所述第三管道的輸入端口與所述第三端口連接。
上述方案中,所述第二管道上設(shè)置有閥門;所述閥門被打開時(shí),所述氣體通過所述第二管道被輸送至所述第三管道。
上述方案中,所述清洗液生成裝置還包括控制器,所述控制器用于控制閥門開啟的大小,以調(diào)整所述氣體流過所述閥門的速度。
上述方案中,所述具有氧化性的氣體為臭氧。
上述方案中,所述液體存儲(chǔ)室設(shè)置有攪拌器,用于將注入所述液體存儲(chǔ)室的各化學(xué)原液進(jìn)行攪拌,以混合各化學(xué)原液。
上述方案中,所述第一管道上設(shè)置有泵;所述泵被開啟時(shí),所述混合后的化學(xué)原液通過所述第一管道被輸送至所述第三管道。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種清洗液生成方法,包括:
在清洗液生成裝置的液體存儲(chǔ)室中存儲(chǔ)混合后的化學(xué)原液;所述化學(xué)原液至少包括:第一溶液、去離子水、第二溶液;所述第一溶液和所述第二溶液均為酸性溶液;
通過所述清洗液生成裝置的第一管道將所述混合后的化學(xué)原液輸送至所述清洗液生成裝置的第三管道;
在所述清洗液生成裝置的氣體發(fā)生器中產(chǎn)生具有氧化性的氣體;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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