[其他]沉積設備

有效

• 申請號: 201990001299.9
• 申請日: 2019-01-22
• 公開（公告）號: CN215342496U
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發明（設計）人: N·S·馬杜;P·K·比拉達爾;拉爾夫·林登貝格;托馬斯·格比利
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C14/35;H01J37/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

描述了一種沉積設備。所述沉積設備包括：真空腔室(101)；沉積源(120)，所述沉積源包括在所述真空腔室內的至少一個濺射源(121)以用于涂覆在所述沉積源的第一側上的基板；以及屏蔽布置(130)，所述屏蔽布置布置在所述沉積源的第二側上。所述屏蔽布置包括多個屏蔽單元，所述多個屏蔽單元部分地重疊并且在所述多個屏蔽單元間限定氣流路徑(132)。所述屏蔽布置可包括交替地布置的前屏蔽單元(135)和后屏蔽單元(136)。

技術領域

本公開內容的實施方式涉及層沉積，特別地涉及通過濺射的層沉積。具體地，實施方式涉及用于通過濺射沉積層的沉積設備。本公開內容的實施方式特別地涉及沉積設備、操作沉積設備的方法以及在基板上沉積層堆疊的方法。

背景技術

已知用于在基板上沉積材料的若干方法。例如，可通過物理氣相沉積(PVD) 工藝(諸如濺射)、化學氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD)工藝來涂覆基板。典型地，在要涂覆的基板所位于的包括真空腔室的沉積設備中執行工藝。沉積材料提供在設備中。沉積材料可例如從濺射靶朝向要涂覆的基板濺射。可使用多種材料以用于在基板上的沉積。在這些材料中，可使用許多不同金屬，但也可使用氧化物、氮化物或碳化物。典型地，濺射工藝適于薄膜涂覆。

涂覆基板可用于若干應用和若干技術領域中。例如，一種應用落在微電子領域中，諸如產生半導體裝置。另外，用于顯示器的基板通常通過PVD工藝進行涂覆，其中處理大面積基板。

為了處理大面積基板，例如在顯示器工業中，可使用動態沉積工藝，其中基板在沉積期間移動經過一個或多個沉積源。然而，許多基板處理應用利用靜態沉積工藝。在靜態沉積工藝中，基板定位在沉積源的前側上的真空處理區域中。沉積源可包括至少一個濺射源或彼此間隔開的濺射源的陣列。

將濺射的沉積材料的大部分提供在基板上和減少在真空腔室內的其他部件上的雜散沉積有挑戰性。特別地，盡可能少的沉積材料應最終在真空腔室的內壁上，使得可減少因雜散涂覆而導致的在真空腔室內部的清潔工作并且可節省材料成本。

一些沉積設備可設置有在真空腔室內的屏蔽板，所述屏蔽板可布置在沉積源與真空腔室的內壁之間。屏蔽板的清潔可比真空腔室的清潔更容易和更快，例如，這是因為可快速地移除或更換屏蔽板。因此，可減少沉積設備的停機時間。然而，屏蔽布置可能負面地影響涂覆工藝。

有鑒于此，提供改善的沉積設備以及改善的操作沉積設備的方法將是有益的，所述沉積設備和所述方法使得能夠在減少在真空腔室的內壁上的雜散涂覆的同時實現良好的沉積結果。

實用新型內容

鑒于上述，提供了沉積設備以及操作沉積設備的方法。本公開內容的另外的方面、細節、益處和特征從從屬權利要求、說明書和附圖中清楚。

根據一個實施方式或方面，提供了一種沉積設備。所述沉積設備包括：真空腔室；沉積源，所述沉積源包括在所述真空腔室內的至少一個濺射源以用于涂覆在所述沉積源的第一側上的基板；以及屏蔽布置，所述屏蔽布置布置在所述沉積源的第二側上。所述屏蔽布置包括部分地重疊的多個屏蔽單元，所述多個屏蔽單元在所述多個屏蔽單元間限定氣流路徑。

在一些實施方式中，基板運輸軌道布置在所述沉積源的所述第一側上，并且所述屏蔽布置布置在所述沉積源的與所述第一側相對的第二側上，特別是布置在所述沉積源與至少一個泵端口之間。

在進一步實施方式中，所述屏蔽布置包括七個或更多個屏蔽單元，從而在所述屏蔽單元間限定六個或更多個氣流路徑。

在進一步實施方式中，所述屏蔽布置包括十五個或更多個屏蔽單元，從而在所述屏蔽單元間限定十四個或更多個氣流路徑。

在進一步實施方式中，所述屏蔽單元為屏蔽板，特別是彎曲的屏蔽板，更特別是C形或U形屏蔽板。