[其他]存儲器和其電子裝置及其測試系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201990000295.9 | 申請日: | 2019-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN213691455U | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王樹鋒;劉紀文;曲虹亮 | 申請(專利權(quán))人: | 前海晶云(深圳)存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/18 | 分類號: | G11C29/18;G11C29/36 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲器 電子 裝置 及其 測試 系統(tǒng) | ||
1.一種存儲器,是動態(tài)隨機存取存儲器,包括DRAM存儲器,以及用于DRAM存儲器和外部進行數(shù)據(jù)交換的DRAM數(shù)據(jù)交換接口;其特征在于:
還包括非易失性存儲器,用于存儲DRAM存儲器的特征參數(shù)信息;
還包括非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口,用于非易失性存儲器和外部進行數(shù)據(jù)交換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述非易失性存儲器中存儲的特征參數(shù)信息包括CAS?Latency參數(shù)、tRCD參數(shù)、tRP參數(shù)和tRAS參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器,其特征在于:
所述非易失性存儲器中存儲的特征參數(shù)信息還包括Fast RAS To CAS Delay參數(shù)、tAC參數(shù)和tCL參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器,其特征在于:
所述非易失性存儲器中存儲的特征參數(shù)信息還包括缺陷存儲單元的地址索引信息,所述地址索引信息用于定位缺陷存儲單元所在的地址分區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述DRAM存儲器,包括用于電腦和服務(wù)器的DDR SDRAM存儲器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器,其特征在于:
所述DDR SDRAM存儲器,包括第三代DDR SDRAM存儲器即DDR3 SDRAM存儲器、第四代DDRSDRAM存儲器即DDR4 SDRAM、第五代DDR SDRAM存儲器即DDR5 SDRAM。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述DRAM存儲器,包括用于用于移動終端的LPDDR SDRAM存儲器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器,其特征在于:
所述LPDDR SDRAM存儲器,包括第二代LPDDR SDRAM存儲器即LPDDR2 SDRAM存儲器、第三代LPDDR SDRAM存儲器即LPDDR3 SDRAM、第四代LPDDR SDRAM存儲器即LPDDR4 SDRAM和第五代LPDDR SDRAM存儲器即LPDDR5SDRAM。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述非易失性存儲器包括EEPROM存儲器、NOR FLASH存儲器和NAND FLASH存儲器中的任意一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口包括I2C接口。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器,其特征在于:
所述存儲器的封裝規(guī)格包括LPDDR2 168b、LPDDR3 178b、LPDDR4 200b、LPDDR4 366b、eMCP 221b、eMCP 254b、MCP 162b、DDR3 78b、DDR4 78b和DDR5 170b;利用上述封裝中的閑置管腳用作易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口。
12.一種存儲器測試系統(tǒng),其特征在于:
包括用于測試控制的測試主機和用于提供存儲器測試接口的測試接口板;
所述測試接口板上的接口包括測試板DRAM數(shù)據(jù)交換接口、測試板非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口;
所述測試接口板上的測試板DRAM數(shù)據(jù)交換接口用于和待測試存儲器的DRAM數(shù)據(jù)交換接口對接;
所述測試接口板上的測試板非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口用于和待測試存儲器的非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口對接;
測試主機,控制測試板DRAM數(shù)據(jù)交換接口和待測試存儲器的DRAM數(shù)據(jù)交換接口連接,并獲取待測試存儲器的特征參數(shù)信息;測試主機,通過測試板非易失性存儲器數(shù)據(jù)交換接口將特征參數(shù)信息寫入存儲器的非易失性存儲器,使存儲器內(nèi)部自帶特征參數(shù)信息。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于前海晶云(深圳)存儲技術(shù)有限公司,未經(jīng)前海晶云(深圳)存儲技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201990000295.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:抽屜用滑動裝置
- 下一篇:水處理槽以及脫硫裝置





