[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 201980102695.5
• 申請日: 2019-12-03
• 公開（公告）號: CN114787926A
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: I·托爾托雷利;P·阿馬托;M·斯福爾津
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G06F3/06;G11C29/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器裝置，其包括：

-多個存儲器胞元，每一存儲器胞元可編程到至少兩個邏輯狀態，每一邏輯狀態對應于所述存儲器胞元的相應標稱電阻值，所述多個存儲器胞元包括第一組存儲器胞元及第二組存儲器胞元，所述第二組的所述存儲器胞元被編程到所述至少兩個邏輯狀態中的預定義邏輯狀態；

-存儲器控制器，其耦合到所述多個存儲器胞元，并被配置為在讀取操作期間向所述第一組的至少一個所選存儲器胞元施加讀取電壓以評估其邏輯狀態；其中，

-所述存儲器控制器經進一步配置以：

-向所述第二組的所述存儲器胞元施加所述讀取電壓以評估其邏輯狀態；

-如果所述第二組的至少一個存儲器胞元的所述邏輯狀態被評估為不同于所述預定義邏輯狀態，那么通過對所述第一組的所述存儲器胞元施加高于所述讀取電壓的恢復電壓來評估其所述邏輯狀態及然后將所述第一組的所述存儲器胞元重新編程到用所述恢復電壓評估的所述邏輯狀態，而執行所述第一組的所述存儲器胞元的刷新操作。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述恢復電壓具有預定值。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制器進一步配置為執行用于設置所述恢復電壓的恢復電壓設置操作，所述恢復電壓設置操作包括以下階段序列：

a)設置初始測試電壓；

b)向所述第二組的所述存儲器胞元施加測試電壓以評估其所述邏輯狀態；

c)如果用測試電壓評估的所述第二組的至少一個存儲器胞元的所述邏輯狀態不同于所述預定義邏輯狀態，那么增加所述測試電壓的值且使用所述測試電壓的所述增加值來重復階段b)；

d)如果用所述測試電壓評估的所述第二組的所有所述存儲器胞元的所述邏輯狀態等于所述預定義邏輯狀態，那么根據在已經執行的上一階段b)中使用的所述測試電壓來設置所述恢復電壓。

4.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述初始測試電壓對應于所述讀取電壓。

5.根據權利要求3所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制器被配置為將所述恢復電壓設置為在階段b)的上次迭代中使用的所述測試電壓。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制器被配置為在所述存儲器裝置的每次通電時向所述第二組的所述存儲器胞元施加所述讀取電壓以評估其所述邏輯狀態。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器裝置是非易失性存儲器裝置。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中每一存儲器胞元包括包含硫屬化物材料的邏輯狀態存儲元件。

9.根據權利要求8所述的存儲器裝置，其中所述相變材料是相變材料。

10.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述存儲器控制器進一步經配置以：

-如果所述第二組的至少一個存儲器胞元的所述邏輯狀態被評估為不同于所述預定義邏輯狀態，那么在執行所述刷新操作之前將所述第二組的所述存儲器胞元重新編程到所述預定義邏輯狀態。

11.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述讀取電壓是基于上次所述第一組的存儲器胞元已被編程而從一組預定義讀取電壓中選擇的。