[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201980101515.1
• 申請日: 2019-10-24
• 公開（公告）號: CN114586170A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 喜田弘文;富田英干;森朋彥;山寺秀哉
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L29/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 呂文卓

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

氮化物半導體層，被劃分為元件部和在上述元件部的周圍配置的周邊耐壓部；

源極電極，設置在上述氮化物半導體層的一個主面；

漏極電極，設置在上述氮化物半導體層的另一個主面；以及

絕緣柵極部，

上述氮化物半導體層具有：

第1導電型的漂移區域，配置在上述元件部和上述周邊耐壓部；

第1導電型的JFET區域，配置在上述元件部，設置在上述漂移區域上，并埋入到在上述一個主面設置的第1槽內；

第2導電型的體區域，配置在上述元件部，設置在上述漂移區域上，并與上述JFET區域鄰接；以及

第1導電型的源極區域，配置在上述元件部，被上述體區域從上述JFET區域隔開，

上述絕緣柵極部配置在上述元件部，與將上述JFET區域和上述源極區域隔開的上述體區域的溝道部對置，

在上述氮化物半導體層的上述周邊耐壓部，在上述氮化物半導體層的上述一個主面設置有第2槽，

與上述溝道部鄰接的上述第1槽的側面的傾斜角小于上述第2槽的側面的傾斜角。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第2槽的上述側面的上述傾斜角為大致90°。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

與上述溝道部鄰接的上述第1槽的上述側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于m面平行，

上述第2槽的上述側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于a面平行。

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

上述漂移區域和上述體區域的pn結界面在上述第2槽的上述側面露出。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具備如下工序：

準備氮化物半導體層的工序，上述氮化物半導體層層疊有第1導電型的漂移區域與第2導電型的體區域且上述體區域在上述氮化物半導體層的一個主面露出；

形成槽的工序，利用干式蝕刻技術，從上述氮化物半導體層的上述一個主面形成超過上述體區域而到達上述漂移區域的槽，并且，在該工序中，同時形成在上述氮化物半導體層的元件部的一部分形成的第1槽和在上述氮化物半導體層的周邊耐壓部形成的第2槽；

以埋入到上述第1槽中的方式形成第1導電型的JFET區域的工序；

形成第1導電型的源極區域的工序，該第1導電型的源極區域被上述體區域從上述JFET區域隔開；以及

形成絕緣柵極部的工序，該絕緣柵極部與將上述JFET區域和上述源極區域隔開的上述體區域的溝道部對置，

在上述形成槽的工序中，執行以下的某一工序：

使與上述溝道部鄰接的上述第1槽的側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于m面平行，使上述第2槽的側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于a面平行，將上述第1槽和上述第2槽同時形成；

使與上述溝道部鄰接的上述第1槽的側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于a面平行，使上述第2槽的側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于m面平行，將上述第1槽和上述第2槽同時形成。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成槽的工序中，使與上述溝道部鄰接的上述第1槽的上述側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于m面平行，使上述第2槽的上述側面在上述氮化物半導體層的上述一個主面處露出的輪廓相對于a面平行，將上述第1槽和上述第2槽同時形成。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在上述形成槽的工序中，天線功率/偏置功率的功率比為4.3以上且6.9以下。