[發明專利]高頻放大器在審
| 申請號: | 201980094771.2 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113632372A | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 前田昌宏;上谷昌稔;松田慎吾 | 申請(專利權)人: | 新唐科技日本株式會社 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F1/07;H03F3/68 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高頻放大器 | ||
1.一種高頻放大器,是對規定的頻帶的第一信號以及第二信號進行放大而從輸出端子輸出信號的高頻放大器,其中,具備:
第一放大器,對所述第一信號進行放大;
第二放大器,對所述第二信號進行放大;
第一匹配電路,被連接于所述第一放大器的輸出端子;
第二匹配電路,被連接于所述第二放大器的輸出端子;
第一傳輸線路,被連接于所述第一匹配電路的輸出端子和所述第二匹配電路的輸出端子之間且具有小于所述規定的頻帶的中心頻率的1/4波長的電長度;
第二傳輸線路,被連接于所述第一放大器以及所述第二放大器之中的一方的輸入端子,具有小于所述規定的頻帶的中心頻率的1/4波長的電長度;以及
第三傳輸線路,被連接于所述第一傳輸線路的一端和所述輸出端子之間且具有所述規定的頻帶的中心頻率的1/4波長的電長度,
被連接于所述第一放大器以及所述第二放大器之中的另一方的輸出端子的所述第一匹配電路或者所述第二匹配電路帶來的相位旋轉與所述第一傳輸線路帶來的相位旋轉相反朝向。
2.如權利要求1所述的高頻放大器,其中,
所述第一放大器為載波放大器,
所述第二放大器為峰值放大器。
3.如權利要求1或者2所述的高頻放大器,其中,
所述第一匹配電路以及所述第二匹配電路分別具有一端被接地的第四傳輸線路以及第五傳輸線路。
4.如權利要求3所述的高頻放大器,其中,
所述第四傳輸線路以及所述第五傳輸線路之中的至少一方由電感器構成。
5.如權利要求1~4的任一項所述的高頻放大器,其中,
所述第一匹配電路以及所述第二匹配電路中的各個匹配電路具有串聯電感器。
6.如權利要求1~5的任一項所述的高頻放大器,其中,
被連接于所述第一放大器以及所述第二放大器之中的另一方的輸出端子的所述第一匹配電路或者所述第二匹配電路,減少所述第一傳輸線路帶來的、從所述第一放大器的輸出端子向輸出側觀察的阻抗或者從所述第二放大器的輸出端子向輸出側觀察的阻抗的頻率依賴性即分散。
7.如權利要求1~6的任一項所述的高頻放大器,其中,
被連接于所述第一放大器以及所述第二放大器之中的另一方的輸出端子的所述第一匹配電路或者所述第二匹配電路帶來的相位旋轉量、和所述第一傳輸線路帶來的相位旋轉量之和小于90°。
8.如權利要求3或者4所述的高頻放大器,其中,
所述第四傳輸線路以及所述第五傳輸線路之中的至少一方除了阻抗變換的用途外,還被使用于供應來自電源的功率的用途。
9.如權利要求1~8的任一項所述的高頻放大器,其中,
從所述第一放大器的輸出端子向輸出側觀察的阻抗以及從所述第二放大器的輸出端子向輸出側觀察的阻抗中的至少一方,處于史密斯圖表上的穿過R=50Ω的等導納圓的外側。
10.如權利要求1~9的任一項所述的高頻放大器,其中,
所述第一放大器以及所述第二放大器具有使用了GaN的場效應管即FET,所述FET的高頻的最大輸出為30W以下。
11.如權利要求1~10的任一項所述的高頻放大器,
被使用于使用陣列天線來輸出高頻信號的無線基站裝置。
12.如權利要求3或者4所述的高頻放大器,其中,還具備:
第一電容器,用于將所述第四傳輸線路的一端接地,被連接于所述第四傳輸線路的所述一端和基準電位之間;以及
第二電容器,用于將所述第五傳輸線路的一端接地,被連接于所述第五傳輸線路的所述一端和基準電位之間。
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