[發明專利]無機化合物半導體及其制造方法以及使用了該無機化合物半導體的光能轉換元件在審
| 申請號： | 201980093587.6 | 申請日： | 2019-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN113544307A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 菊地諒介;中村透;上野航輝;藏渕孝浩;金子泰;羽藤一仁;大場史康;熊谷悠 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;H01L21/203;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 吳倩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 無機化合物 半導體 及其 制造 方法 以及 使用 光能 轉換 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種無機化合物半導體，其含有釔、鋅以及氮。
2.根據權利要求1所述的無機化合物半導體，其具有六方晶系的晶體結構。
3.根據權利要求1或2所述的無機化合物半導體，其中，鋅與釔之摩爾比為2.5～6。
4.根據權利要求3所述的無機化合物半導體，其中，所述摩爾比為3.0或4.8。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的無機化合物半導體，其中，所述無機化合物半導體由化學式YZn3N3表示。
6.根據權利要求1～5中任一項所述的無機化合物半導體，其具有1.7eV～2.5eV的帶隙。
7.一種光能轉換元件，其具備含有權利要求1～6中任一項所述的無機化合物半導體的第一光能轉換層。
8.根據權利要求7所述的光能轉換元件，其進一步具備含有光能轉換材料的第二光能轉換層，
其中，所述光能轉換材料具有比所述無機化合物半導體窄的帶隙。
9.制造無機化合物半導體的方法，其包括下述工序：
(a)通過在包含氮的氣氛下使用包含Y及Zn的原料的濺射法，形成含有Y、Zn以及N的所述無機化合物半導體。
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