[發明專利]像素化LED芯片和芯片陣列器件、以及制造方法

在審

• 申請號: 201980092802.0
• 申請日: 2019-12-04
• 公開（公告）號: CN113498550A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 彼得·斯考特·安德魯斯;史蒂文·伍斯特
• 申請（專利權）人: 科銳LED公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉彬

1.一種像素化發光二極管LED芯片，包括：

有源層，包括多個有源層部分，其中，所述多個有源層部分形成多個像素，其中，所述多個像素中的每個像素包括電觸點，并且所述多個像素中的相鄰像素之間設置有像素間空隙；以及

底部填充材料，布置在所述像素間空隙中以覆蓋所述相鄰像素之間的所有橫向表面。

2.根據權利要求1所述的像素化LED芯片，其中，所述每個像素的所述電觸點包括陽極和陰極，并且所述底部填充材料進一步布置在所述多個像素中的每個像素的所述陽極與所述陰極之間。

3.根據權利要求1或2中任一項所述的像素化LED芯片，其中，所述底部填充材料包括光改變材料或光反射材料。

4.根據權利要求3所述的像素化LED芯片，其中，所述光改變材料或所述光反射材料包括懸浮在粘合劑中的光改變顆粒或光反射顆粒。

5.根據權利要求4所述的像素化LED芯片，其中，所述光改變顆粒或所述光反射顆粒包括二氧化鈦TiO₂顆粒，并且所述粘合劑包括硅酮。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的像素化LED芯片，還包括所述多個像素上的發光材料。

7.根據權利要求1至6中任一項的權利要求所述的像素化LED芯片，還包括基板，所述基板包括支撐所述多個有源層部分的多個不連續的基板部分，其中，每個基板部分包括透光材料。

8.根據權利要求7所述的像素化LED芯片，其中，所述多個不連續的基板部分包括碳化硅SiC或藍寶石。

9.根據權利要求7所述的像素化LED芯片，其中，所述每個基板部分包括光注入表面和光提取表面，其中，所述光注入表面布置在所述有源層與所述光提取表面之間，并且所述每個基板部分的所述光提取表面包括多個突出特征和多個光提取表面凹槽。

10.根據權利要求7所述的像素化LED芯片，其中，所述每個基板部分包括光注入表面和光提取表面，其中，所述光注入表面布置在所述有源層與所述光提取表面之間，并且所述每個基板部分的所述光提取表面包括紋理化表面。

11.一種用于制造像素化發光二極管LED照明裝置的方法，包括：

在基板上形成LED結構，其中，所述LED結構包括n型層、p型層、以及所述n型層與所述p型層之間的有源層；

限定穿過所述有源層的多個凹槽或溝道，以形成多個有源層部分，其中，所述多個凹槽或溝道被限定成以小于所述n型層的整個厚度而穿過；

穿過所述基板的整個厚度來去除所述基板中沿著與所述多個凹槽或溝道對準的多個區域的部分，以形成多個不連續的基板部分；并且

在相鄰的有源層部分之間和相鄰的所述基板部分之間涂覆底部填充材料。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括形成與所述多個有源層部分導電連通的多個陽極陰極對，并且其中，底部填充的所述涂覆還包括在每個陽極陰極對的陽極與陰極之間涂覆所述底部填充。

13.根據權利要求11或12中任一項所述的方法，還包括在每個所述基板部分的光提取表面上形成多個突起特征和多個光提取表面凹槽。

14.根據權利要求11至13中任一項所述的方法，還包括紋理化每個所述基板部分的光提取表面。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，每個所述基板部分的所述光提取表面的所述紋理化包括在形成多個不連續的所述基板部分之前紋理化所述基板的表面。