[發(fā)明專利]顯示裝置及用于該顯示裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980092785.0 | 申請日: | 2019-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN113454785A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李元鎬;趙誠贊;姜鍾赫;任鉉德;趙顯敏;金元奎 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/12;H01L27/06;H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 用于 制造 方法 | ||
本申請涉及顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。顯示裝置包括襯底。像素設(shè)置在襯底上,并且像素中的每個包括第一電極、第二電極以及連接在第一電極與第二電極之間的多個發(fā)光元件。第一振蕩器設(shè)置在襯底上并且連接到像素中的第一像素的第一電極,并且包括至少一個晶體管和至少一個電容器。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的各種實施方式涉及顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。
背景技術(shù)
近來,已經(jīng)開發(fā)了使用具有可靠無機晶體結(jié)構(gòu)的材料制造超小型發(fā)光元件和使用該發(fā)光元件制造發(fā)光裝置的技術(shù)。例如,已經(jīng)開發(fā)了使用具有與從納米級尺寸到微米級尺寸的范圍相對應(yīng)的小尺寸的超小型發(fā)光元件來配置發(fā)光裝置的光源的技術(shù)。這種發(fā)光裝置可用于諸如顯示裝置和照明裝置的各種電子裝置中。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
如果在向襯底供應(yīng)發(fā)光元件之后向電極供應(yīng)預(yù)定電壓,則在電極之間形成電場,使得發(fā)光元件自對準(zhǔn)。
然而,施加到電極的電壓可能下降,使得發(fā)光元件可能無法在整個襯底均勻地對準(zhǔn)。
本公開的各種實施方式涉及包括被均勻地對準(zhǔn)的發(fā)光元件的顯示裝置。
本公開的各種實施方式涉及一種制造發(fā)光元件可在其中均勻地對準(zhǔn)的顯示裝置的方法。
技術(shù)方法
在一方面,根據(jù)本公開的實施方式的顯示裝置可包括:襯底;像素,設(shè)置在襯底上,并且各自包括第一電極、第二電極以及聯(lián)接在第一電極與第二電極之間的多個發(fā)光元件;以及第一振蕩器,設(shè)置在襯底上并且聯(lián)接到像素中的第一像素的第一電極,并且包括至少一個晶體管和至少一個電容器。
在實施方式中,第一像素的第一電極可與像素中的第二像素的第一電極分離。第一振蕩器可與第二像素斷開電連接。
在實施方式中,襯底可包括其中顯示圖像的顯示區(qū)域、以及設(shè)置在顯示區(qū)域的一側(cè)上的非顯示區(qū)域。第一像素可設(shè)置在顯示區(qū)域中。第一振蕩器可設(shè)置在非顯示區(qū)域中。
在實施方式中,顯示裝置還可包括設(shè)置在非顯示區(qū)域上的第二振蕩器和第三振蕩器。第一振蕩器、第二振蕩器和第三振蕩器可沿著顯示區(qū)域的周邊以規(guī)則的間隔設(shè)置。
在實施方式中,顯示裝置還可包括設(shè)置在襯底上并且彼此分離的第一電力線、第二電力線、第三電力線和第四電力線。像素中的每個可聯(lián)接在第一電力線與第二電力線之間。第一振蕩器可聯(lián)接到第三電力線和第四電力線。第三電力線和第四電力線中的每個可浮置。
在實施方式中,第一電力線、第二電力線、第三電力線、第四電力線和第一振蕩器可包括在像素電路層中。第一電極和第二電極可在像素電路層上設(shè)置在彼此間隔開的位置處。多個發(fā)光元件可設(shè)置在第一電極與第二電極之間。
在實施方式中,顯示裝置還可包括電極圖案,該電極圖案設(shè)置在像素電路層上并且與第一振蕩器的至少一個電容器重疊,并且聯(lián)接到至少一個電容器。電極圖案可與第一像素的第一電極分離。
在實施方式中,顯示裝置還可包括設(shè)置在顯示區(qū)域上的第二振蕩器。
在實施方式中,第一振蕩器可設(shè)置在像素之間。
在實施方式中,多個發(fā)光元件中的每個可包括具有在納米級到微米級的范圍內(nèi)的尺寸的發(fā)光二極管。
在實施方式中,顯示裝置還可包括設(shè)置在襯底上的第一電力線和第二電力線。第一振蕩器可包括至少一個級。至少一個級各自可包括:第一晶體管,包括聯(lián)接到第一電力線的第一電極、聯(lián)接到第一節(jié)點的第二電極以及聯(lián)接到輸入端的柵電極;第二晶體管,包括聯(lián)接到第一節(jié)點的第一電極、聯(lián)接到第二電力線的第二電極以及聯(lián)接到輸入端的柵電極;以及第一電阻器和第一電容器,串聯(lián)聯(lián)接在第一節(jié)點與第二電力線之間。與第一電阻器和第一電容器聯(lián)接的第二節(jié)點可作為輸出端電聯(lián)接到輸入端。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





