[發明專利]發光元件和包括其的顯示裝置

在審

• 申請號: 201980092656.1
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN113454784A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 閔正泓;金大賢;金東旭;趙顯敏;金世詠;李昇我;車炯來
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/12;H01L33/00;H01L33/42;H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;楊永良

1.一種發光元件，所述發光元件包括：

發射堆疊圖案，包括在一個方向上順序地堆疊的第一導電半導體層、活性層和第二導電半導體層，

其中，所述活性層包括在所述發射堆疊圖案的縱向方向上與所述第一導電半導體層接觸的第一表面以及與所述第一表面相對并與所述第二導電半導體層接觸的第二表面，

其中，所述第一導電半導體層包括至少一個n型半導體層，并且所述第二導電半導體層包括至少一個p型半導體層，并且

其中，所述活性層的所述第一表面在所述發射堆疊圖案內在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上位于與所述發射堆疊圖案的總長度的一半的-20％至+20％對應的點處。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，與所述發射堆疊圖案的所述總長度的一半對應的點位于所述活性層的所述第一表面與所述第二表面之間。

3.根據權利要求2所述的發光元件，其中，在剖視圖中，從所述活性層的所述第一表面到所述第二導電半導體層的上表面的距離不同于從所述第一導電半導體層的下表面到所述第一導電半導體層的與所述活性層的所述第一表面接觸的上表面的距離。

4.根據權利要求2所述的發光元件，其中，在剖視圖中，從所述活性層的所述第一表面到所述第二導電半導體層的上表面的距離與從所述第一導電半導體層的下表面到所述第一導電半導體層的與所述活性層的所述第一表面接觸的上表面的距離相同。

5.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述發射堆疊圖案具有圓柱的形狀，其中，所述第一導電半導體層、所述活性層和所述第二導電半導體層順序地堆疊在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其中，在剖視圖中，從所述活性層的所述第二表面到所述第二導電半導體層的上表面的距離與所述發射堆疊圖案的所述總長度的比為0.5或更小。

7.根據權利要求5所述的發光元件，

其中，所述發射堆疊圖案還包括位于所述第二導電半導體層上的電極層，并且

其中，在剖視圖中，從所述活性層的所述第二表面到所述電極層的上表面的距離與所述發射堆疊圖案的所述總長度的比為0.5或更小。

8.根據權利要求7所述的發光元件，其中，在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上，所述電極層比所述第二導電半導體層厚，并且其中，在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上，所述電極層比所述第一導電半導體層薄。

9.根據權利要求8所述的發光元件，其中，在剖視圖中，從所述活性層的所述第一表面到所述電極層的所述上表面的距離不同于從所述第一導電半導體層的下表面到所述第一導電半導體層的與所述活性層的所述第一表面接觸的上表面的距離。

10.根據權利要求7所述的發光元件，其中，所述電極層包括透明金屬氧化物，并且在所述發射堆疊圖案的所述縱向方向上具有0.5μm至1μm的厚度。

11.根據權利要求1所述的發光元件，所述發光元件還包括包圍所述發射堆疊圖案的外圍的絕緣膜。