[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201980092383.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113875035A | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發明(設計)人: | 林載翊;崔千基;金相羽 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
一種顯示裝置,包括:基底;發光元件,設置在所述基底上;平坦化層,設置在所述發光元件上;第一折射率層,設置在所述平坦化層上,并且包括使從所述發光元件發射的光全反射在正面方向上的全反射傾斜表面以及使從所述發光元件發射的光折射在所述正面方向上的折射傾斜表面;第二折射率層,設置在所述第一折射率層上以與所述折射傾斜表面接觸,并且具有比所述第一折射率層的折射率小的折射率;以及第三折射率層,設置在所述第一折射率層和所述第二折射率層上以與所述全反射傾斜表面接觸,并且具有比所述第一折射率層的所述折射率大的折射率。
技術領域
本發明實施例涉及一種顯示裝置。更具體地,本發明涉及一種其像素包括發光元件的顯示裝置。
背景技術
發光顯示裝置包括兩個電極和介于其間的發射層,并且其中從一個電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在發射層中結合以產生激子。產生的激子從激發態變為基態,釋放能量以發光。
發光顯示裝置包括多個像素,這些像素包括作為自發光元件的發光二極管(LED),并且每個像素包括用于驅動發光二極管(LED)的多個晶體管和至少一個電容器。多個晶體管基本上包括開關晶體管和驅動晶體管。
存在的問題是由發光二極管(LED)產生的大量光在穿過多層時損失,導致發光效率低。為了解決這個問題,進行了諸如形成透鏡等的嘗試。然而,不易控制透鏡的曲率,并且透鏡與發光二極管(LED)之間的距離長,因此改善發光效率存在限制。
發明內容
本發明的實施例提供一種能夠改善發光元件產生的光的發光效率的顯示裝置。
根據本發明的實施例的一種顯示裝置,包括:基底;發光元件,設置在所述基底上;平坦化層,設置在所述發光元件上;第一折射率層,設置在所述平坦化層上,并且包括使從所述發光元件發射的光全反射在正面方向上的全反射傾斜表面以及使從所述發光元件發射的光折射在所述正面方向上的折射傾斜表面;第二折射率層,設置在所述第一折射率層上以與所述折射傾斜表面接觸,并且具有比所述第一折射率層的折射率小的折射率;以及第三折射率層,設置在所述第一折射率層和所述第二折射率層上以與所述全反射傾斜表面接觸,并且具有比所述第一折射率層的所述折射率大的折射率。
所述第一折射率層和所述第二折射率層之間的折射率差可以是0.05或更大。
所述第一折射率層和所述第三折射率層之間的折射率差可以是0.05或更大。
所述第二折射率層的厚度可以是所述第一折射率層的厚度或更大。
由所述折射傾斜表面和所述基底的上表面形成的折射傾斜角可以小于90度并且大于等于50度。
在平面上所述第一折射率層可以以圍繞所述發光元件的發光區域的環形形式設置。
所述全反射傾斜表面可以是環形的所述第一折射率層的內側表面。
所述折射傾斜表面可以是環形的所述第一折射率層的外側表面。
根據本發明的另一實施例的一種顯示裝置,包括:基底;發光元件,設置在所述基底上;平坦化層,設置在所述發光元件上;第一折射率層,設置在所述平坦化層上,并且包括使從所述發光元件發射的光折射在正面方向上的折射傾斜表面;第二折射率層,設置在所述第一折射率層上以與所述折射傾斜表面接觸,并且包括使從所述發光元件發射的光全反射在所述正面方向上的全反射傾斜表面,并且具有比所述第一折射率層的折射率大的折射率;以及第三折射率層,設置在所述第二折射率層上以與所述全反射傾斜表面接觸,并且具有比所述第二折射率層的所述折射率大的折射率。
所述第一折射率層和所述第二折射率層之間的折射率差可以是0.05或更大。
所述第二折射率層和所述第三折射率層之間的折射率差可以是0.05或更大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





