[發(fā)明專利]光學操縱設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980090828.1
• 申請日: 2019-12-10
• 公開（公告）號: CN113366365A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 勞倫特·布隆德;瓦爾特·德拉齊克;米特拉·達姆加尼安;奧克薩那·什拉姆科娃
• 申請（專利權）人: 交互數(shù)字CE專利控股公司
• 主分類號: G02B21/32
• 分類號: G02B21/32;G02B6/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種設備，被配置為當入射電磁波照射所述設備的第一面，即，照射面時，在具有第一折射率n₁的介電主介質中輻射聚焦的電磁波束，其中所述設備包括：

-第一材料，具有第二折射率n₂，并且具有沿著所述第一面的延伸方向的第一寬度W₁，其中該延伸方向被稱為X軸；以及

-第二材料，其與所述第一部分接觸并且具有第三折射率n₃，具有沿著所述X軸的第二寬度W₂，

其中n1n3n2，并且W₁+W₂大于所述入射電磁波在所述主介質中的等效波長λ，所述第一和第二材料沿垂直于所述照射面的方向，即Z軸，從所述照射面延伸到每個部分的與所述照射面相對的輻射面，所述第一和第二材料沿所述Z軸分別具有第一高度H1和第二高度H2，其中|H2-H1|≤λ/4，

所述設備被配置成當所述設備與所述介電主介質接觸時并且當所述入射電磁波照射所述照射面時具有：

-第一接觸區(qū)域，其在所述介電主介質和所述第一材料之間，所述第一接觸區(qū)域在近場區(qū)中輻射第一射束；

-第二接觸區(qū)域，其在所述第一材料和所述第二材料之間，所述第二接觸區(qū)域在所述近場區(qū)中輻射第二射束；

-第三接觸區(qū)域，其在所述材料和所述介電主介質之間，所述第三接觸區(qū)域在所述近場區(qū)中輻射第三射束，

其中，所述聚焦的電磁波束由所述第一、第二和第三射束當中的至少兩個射束的組合產(chǎn)生，所述設備被配置成使所述聚焦的電磁波束的傳播方向相對于所述入射電磁波的傳播方向傾斜。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述聚焦的電磁波束的所述傳播方向按照以下各項的至少一部分的函數(shù)而相對于所述入射電磁波的傳播方向傾斜：

-所述第一折射率n₁、所述第二折射率n₂和所述第三折射率n₃；

-所述第一寬度W₁和所述第二寬度W₂；以及

-所述第一高度H1和所述第二高度H2。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的設備，其中所述聚焦的電磁波束由所述第一、第二和第三射束的組合產(chǎn)生。

4.根據(jù)權利要求1至3中任意項所述的設備，其中其中W₁＝W₂并且其中H1≥H_A，所述第一和第二射束的交點具有沿著所述Z軸并且相對于所述照射面的高度H_A。

5.根據(jù)權利要求1至3中任意項所述的設備，其中并且其中W₂W₁。

6.根據(jù)權利要求1至3中任意項所述的設備，其中其中W₂W₁并且其中H1≥H_A，所述第一和第二射束的交點具有沿著所述Z軸并且相對于所述照射面的高度H_A。

7.根據(jù)權利要求1至3中任意項所述的設備，其中并且其中W₂W₁，并且其中H1的目標是等于H_A-λ/2，所述第一和第二射束的交點具有沿著所述Z軸并且相對于所述照射面的高度H_A。

8.根據(jù)權利要求4至7中任意項所述的設備，其中所述高度H_A滿足并且Θ_B1和Θ_B2分別是所述第一和第二射束相對于所述入射電磁波的傳播方向的輻射傾角。