[發明專利]膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物以及聚有機硅氧烷固化物膜的制造方法

在審

• 申請號: 201980090348.5
• 申請日: 2019-12-06
• 公開（公告）號: CN113348211A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 福井弘;津田武明;連華
• 申請（專利權）人: 陶氏東麗株式會社;美國陶氏有機硅公司
• 主分類號: C08L83/07
• 分類號: C08L83/07;C08J5/18;C08L83/05
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 徐舒

1.一種膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，所述膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物包含：固化反應性聚有機硅氧烷；固化劑；和

選自D1有機系極性溶劑、D2低分子硅氧烷系溶劑以及D3鹵素系溶劑中的一種以上的有機溶劑或它們的混合溶劑，

在25℃下，以剪切速率0.1s^-1測定出的組合物整體的粘度為100000mPa·s以下，以剪切速率10.0s^-1測定出的組合物整體的粘度在5～50000mPa·s的范圍內，

以剪切速率0.1s^-1測定出的組合物整體的粘度與以剪切速率10.0S^-1測定出的組合物整體的粘度之比即觸變比為25.0以下。

2.根據權利要求1的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其中，

D1有機系極性溶劑為選自環己酮、乙酸異丁酯、甲基乙基酮、甲基丁基酮、甲基異丁基酮、N,N-二甲基甲酰胺即DMF、正己醛、丙酮、苯甲醛、乙酸甲酯、乙酸丙酯、苯乙酮、乙酸戊酯、丁醛、乙基乙酸甲酯、乙醚以及四氫呋喃即THF中的一種以上的有機系極性溶劑，

D2低分子硅氧烷系溶劑為選自六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、2-甲基苯乙基五甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、1,3-二氟四甲基二硅氧烷中的一種以上的低分子硅氧烷系溶劑，

D3鹵素系溶劑為選自三氟甲基苯、1,2-雙(三氟甲基)苯、1,3-雙(三氟甲基)苯、1,4-雙(三氟甲基)苯、三氟甲基氯苯、三氟甲基氟苯、氫氟醚中的一種以上的鹵素系溶劑。

3.根據權利要求1或2所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其特征在于，

固化反應性聚有機硅氧烷及其固化劑實質上不含鹵素原子，并且所述膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物包含選自D1有機系極性溶劑和D2低分子硅氧烷系溶劑中的一種以上的有機溶劑或它們的混合溶劑，實質上不含D3鹵素系溶劑。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其特征在于，

固化反應性聚有機硅氧烷及其固化劑為實質上不含鹵素原子，包含所有硅氧烷單元中的50摩爾％以上的二甲基硅氧烷單元的甲基聚硅氧烷組合物，有機溶劑包含選自六甲基二硅氧烷和八甲基三硅氧烷中的至少一種低分子硅氧烷系溶劑或它們的混合物，實質上不含D3鹵素系溶劑。

5.根據權利要求1或2所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其特征在于，

固化反應性聚有機硅氧烷及其固化劑包含鹵素原子，并且所述膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物包含選自D1有機系極性溶劑、D2低分子硅氧烷系溶劑以及D3鹵素系溶劑中的一種以上的有機溶劑或它們的混合溶劑。

6.根據權利要求5所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其中，

有機溶劑的沸點為120℃以上。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其中，

固化而形成作為非揮發性的固體成分的聚有機硅氧烷固化物的成分的含量在組合物整體的5～95質量％的范圍內。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其特征在于，

固化反應性聚有機硅氧烷和固化劑通過選自氫化硅烷化反應固化、縮合反應固化、自由基反應固化以及高能量射線固化反應中的一種以上的固化反應機理來得以固化。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的膜形成用固化性聚有機硅氧烷組合物，其中，

固化后所得到的聚有機硅氧烷固化物膜在1kHz、25℃下測定的相對介電常數為3以上。