[發明專利]用于產生非熱等離子體的電極裝置和等離子體源，以及操作等離子體源的方法

在審

• 申請號: 201980090322.0
• 申請日: 2019-01-25
• 公開（公告）號: CN113366922A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 馬克西米蘭·坎茨勒;漢內斯·魏爾曼
• 申請（專利權）人: 特拉等離子體有限責任公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 楊媛媛

1.一種用于產生非熱等離子體的電極裝置，具有：

-第一電極和第二電極，其中，

-所述第一電極和所述第二電極彼此電絕緣并且通過介電元件彼此間隔開，其特征在于，

-所述第二電極具有化學鎳金(ENIG)涂層，或化學鍍鎳鈀浸金(ENEPIG)涂層，或化學鍍鎳浸鈀浸金(ENIPIG)涂層，或化學鍍鈀(EP)涂層，或化學鈀金(EPIG)涂層，和/或

-所述介電元件由玻璃纖維增強型碳氫陶瓷制成。

2.根據權利要求1所述的電極裝置，其特征在于，

-在電極彼此間隔的方向上觀察，所述第一電極的厚度為至少10μm至至多50μm，優選為35μm，和/或

-在電極彼此間隔的方向上觀察，所述第二電極的厚度為至少10μm至至多50μm，或總厚度為35μm，和/或

-所述介電元件的厚度為至少100μm至至多300μm，優選為至少220μm至至多280μm，優選為至少250μm至至多260μm，和/或

-所述第二電極包括至少一個電極段，優選地，所述電極段的長度為4cm至30cm，其中，優選地，兩個或更多個電極段平行布置或接近平行地布置，和/或

-所述第二電極的ENIG，或ENEPIG，或ENIPIG，或EP，或EPIG涂層的厚度為至少0.3至至多10μm，優選為至少3至至多7μm，和/或

-所述第二電極具有兩個或更多個相對于彼此可移動的電極段，和/或第二電極是柔性的，使得所述第二電極能適合于與所述第二電極接觸的表面的形狀。

3.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，介電覆蓋元件設置在所述第二電極的背離所述介電元件的一側，其中，在所述電極的堆疊方向上觀察，所述覆蓋元件的厚度優選為至少0.2μm至至多30μm。

4.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，介電基底元件設置在所述第一電極的背離所述介電元件的一側。

5.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，選自所述第一電極和所述第二電極的至少一個電極具有選自銅、銀、金和鋁的材料或包含選自銅、銀、金和鋁的材料。

6.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，選自所述介電覆蓋元件和所述介電基底元件的至少一個元件具有選自氮化硅、硅酸鹽，特別是石英、玻璃以及塑料，特別是聚酰胺的材料，或包含選自氮化硅、硅酸鹽，特別是石英、玻璃以及塑料，特別是聚酰胺的材料。

7.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，所述第一電極設計為平的，優選為片狀或片狀延伸，和/或所述第二電極設計為結構化的。

8.根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其特征在于，所述第二電極具有梳狀結構，具有至少一個假想線的線性結構，優選為具有多個特別是彼此平行布置且彼此電連接的直線元件，具有纏繞結構，特別是蛇形結構、螺旋結構、曲折結構，或具有至少一個凹部的平面結構。

9.一種用于產生非熱等離子體的等離子體源，具有電壓源和根據前述權利要求中任一項所述的電極裝置，其中，所述電壓源至少電連接到所述第一電極。

10.根據權利要求9所述的等離子體源，其特征在于，所述電壓源適于向所述第一電極施加交流電壓，其中，所述第二電極優選地接地或通地。

11.根據權利要求9和10中任一項所述的等離子體源，其特征在于，所述等離子體源被配置為產生振幅為至少0.5kVpp至至多5kVpp的交流電壓，優選為從至少1kVpp至至多4.5kVpp，優選為從至少1.5kVpp至至多4kVpp，和/或所述交流電壓的頻率為至少10kHz至至多100kHz，優選為從至少20kHz至至多80kHz，優選為從至少30kHz至至多60kHz，優選為從至少40kHz至至多50kHz，優選為50kHz。