[發(fā)明專利]在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法及使用所述方法制造的制品在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980090156.4 | 申請日: | 2019-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN113348561A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | T·M·溫 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/08 | 分類號: | H01L29/08;H01L29/161;H01L29/165 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 張璐;樂洪詠 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 形成 圖案 絕緣 方法 使用 制造 制品 | ||
用于在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法可包括:使用光化學燒蝕,沿著掩模的中心區(qū)域的周界切斷設置在導電層上的掩模。可移除掩模的中心區(qū)域以在掩模中形成開口,由此,圍繞掩模中的開口的掩模的剩余區(qū)域覆蓋導電層的對應的周圍區(qū)域。可向?qū)щ妼拥闹行膮^(qū)域和掩模的剩余區(qū)域施加絕緣層。可從導電層移除掩模的剩余區(qū)域,以移除設置在掩模的剩余區(qū)域上的過量的絕緣層部分,由此,與掩模中的開口對應的絕緣層的剩余部分限定了設置在導電層上的圖案化的絕緣層。
背景
1.相關申請的交叉引用
本申請根據(jù)35 U.S.C.§119,要求2018年11月26日提交的第62/771,332號美國臨時申請的優(yōu)先權權益,其內(nèi)容通過引用全文納入本文。
2.技術領域
本公開涉及在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法,以及使用所述方法制造的裝置,例如,電潤濕裝置。
3.背景技術
各種裝置,例如,基于電潤濕的光學裝置,可包括設置在導電層上的圖案化的絕緣層。用于沉積和/或圖案化絕緣層的各種方法會損傷下方的導電層和/或產(chǎn)生邊緣品質(zhì)差的圖案化的導電層。損傷的導電層和/或品質(zhì)差的圖案化的絕緣層可損害成品裝置的性能和/或可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本文公開了用于在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法,以及使用所述方法制造的裝置,例如,電潤濕裝置。
本文公開了用于在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法。使用光化學燒蝕,沿著掩模中心區(qū)域的周界切斷設置在導電層上的掩模。移除掩模的中心區(qū)域以在掩模中形成開口并且露出與掩模中的開口對應的導電層的中心區(qū)域,由此,圍繞掩模中的開口的掩模的剩余區(qū)域覆蓋對應的導電層的周圍區(qū)域。向?qū)щ妼拥闹行膮^(qū)域和掩模的剩余區(qū)域施加絕緣層。從導電層移除掩模的剩余區(qū)域,以移除設置在掩模的剩余區(qū)域上的過量的絕緣層部分,由此,與掩模中的開口對應的絕緣層的剩余部分限定了設置在導電層的中心區(qū)域上的圖案化的絕緣層,并且導電層的周圍區(qū)域不被圖案化的絕緣層覆蓋。
本文公開了用于在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法。向?qū)щ妼邮┘友谀#鰧щ妼颖辉O置在包含多個孔穴的晶片上。采用脈沖激光,沿著掩模的多個中心區(qū)域中的每個中心區(qū)域的周界切斷掩模,所述脈沖激光具有至多約75mW的平均功率以及至多約0.3μJ的脈沖能,所述多個中心區(qū)域中的各個中心區(qū)域覆蓋在多個孔穴中的對應孔穴上。移除掩模的多個中心區(qū)域中的每個中心區(qū)域,以在掩模中形成多個開口并且露出導電層的多個中心區(qū)域,其各自至少部分地設置在所述多個孔穴的對應孔穴中,由此,圍繞掩模中的多個開口的掩模的剩余區(qū)域覆蓋設置在多個孔穴外的導電層的對應周圍區(qū)域。向?qū)щ妼拥亩鄠€中心區(qū)域中的每個中心區(qū)域和掩模的剩余區(qū)域施加絕緣層。從導電層移除掩模的剩余區(qū)域,以移除設置在掩模的剩余區(qū)域上的過量的絕緣層部分,由此,與掩模中的多個開口對應的絕緣層的剩余部分限定了至少部分設置在多個孔穴內(nèi)的圖案化的絕緣層,并且導電層的周圍區(qū)域不被圖案化的絕緣層覆蓋。
本文公開了一種電潤濕裝置,其包括第一窗,第二窗,以及設置在第一窗與第二窗之間的腔體。在腔體內(nèi)設置有第一液體和第二液體。第一液體和第二液體基本上相互不混溶,由此,在第一液體與第二液體之間形成液體界面。共用電極與第一液體電學連通。在腔體的側(cè)壁上設置有驅(qū)動電極。在腔體內(nèi)設置有絕緣層,以使驅(qū)動電極與第一液體和第二液體絕緣。設置在腔體內(nèi)的共用電極的暴露部分基本上不具有刮痕和熱損傷。
應理解,前面的一般性描述和以下的具體實施方式都僅僅是示例性的,并且旨在提供用于理解所要求保護的主題的性質(zhì)和特性的總體評述或框架。所附附圖提供了進一步理解,附圖被結合在本說明書中并構成說明書的一部分。附圖說明了一種或多種實施方式,并與說明書一起用來解釋各種實施方式的原理和操作。
附圖說明
圖1是電潤濕裝置的一些實施方式的截面示意圖。
圖2是通過第一外層觀察的圖1的電潤濕裝置的正視示意圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于康寧股份有限公司,未經(jīng)康寧股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980090156.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





