[發(fā)明專利]在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法及使用所述方法制造的制品

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• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN113348402A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設計）人: T·M·溫
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00;H01L21/027;H01L21/00;H01L27/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張璐;樂洪詠

1.用于在導電層上形成圖案化的絕緣層的方法，所述方法包括：

通過激光燒蝕移除覆蓋在掩模中的開口的周界上的絕緣層的環(huán)形區(qū)域，絕緣層的環(huán)形區(qū)域的內部位于與掩模中的開口對應的導電層的中心區(qū)域上，并且絕緣層的環(huán)形區(qū)域的外部位于掩模上，由此，導電層的中心區(qū)域的環(huán)形部分不被掩模和絕緣層中的每一者覆蓋；以及

從導電層移除掩模，以移除設置在掩模上的過量的絕緣層部分，由此，絕緣層的剩余部分限定了設置在導電層的中心區(qū)域上的圖案化的絕緣層，并且圍繞導電層的中心區(qū)域的導電層的周圍區(qū)域不被圖案化的絕緣層覆蓋。

2.如權利要求1所述的方法，其中：

在移除了掩模后，來自掩模或絕緣層中的至少一者的殘余物位于與絕緣層的環(huán)形區(qū)域對應的導電層的環(huán)形區(qū)域上；并且

所述方法包括：用激光照射導電層的環(huán)形區(qū)域以移除殘余物。

3.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：通過光熱燒蝕移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域。

4.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：將絕緣層的環(huán)形區(qū)域暴露于光子能最多為約3.586eV的電磁輻射。

5.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：將絕緣層的環(huán)形區(qū)域暴露于波長至少為約345nm的電磁輻射。

6.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：利用激光以螺旋圖案照射絕緣層的環(huán)形區(qū)域。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述螺旋圖案包括約30個道至約40個道，并且節(jié)距為約2μm至約5μm。

8.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：用脈沖激光照射絕緣層的環(huán)形區(qū)域，所述脈沖激光的平均功率為至少約75mW，并且脈沖能為至少約0.31μJ。

9.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：用脈沖激光照射絕緣層的環(huán)形區(qū)域，所述脈沖激光的平均功率為約75mW至約100mW，脈沖重復頻率為約250kHz至約750kHz，并且脈沖能為約0.31μJ至約0.41μJ。

10.如權利要求1所述的方法，其中，移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：用光斑尺寸為約5μm至約15μm的激光照射絕緣層的環(huán)形區(qū)域。

11.如權利要求1所述的方法，其中，圖案化的絕緣層基本上不含片狀物和條狀物。

12.如權利要求1所述的方法，其中，所述掩模包括粘附于導電層的聚合物膠帶。

13.如權利要求1所述的方法，其中：

導電層被設置在基材上，所述基材包括形成于其中的孔穴，并且導電層的中心區(qū)域至少部分被設置在孔穴內；

在從導電層移除掩模之前，使掩模中的開口與孔穴對齊；并且

導電層的中心區(qū)域的環(huán)形部分包圍孔穴。

14.如權利要求13所述的方法，其中：

所述基材包括晶片；

所述孔穴包括多個孔穴；并且

移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域包括：移除與多個孔穴對應的絕緣層的多個環(huán)形區(qū)域。

15.如權利要求1所述的方法，所述方法包括：

在移除絕緣層的環(huán)形區(qū)域之前，使用光化學燒蝕，沿著掩模中心區(qū)域的周界切斷設置在導電層上的掩模；

移除掩模的中心區(qū)域以在掩模中形成開口并且露出導電層的中心區(qū)域，由此，圍繞掩模中的開口的掩模的剩余區(qū)域覆蓋對應的導電層的周圍區(qū)域；并且

向導電層的中心區(qū)域和掩模的剩余區(qū)域施加絕緣層。