[發(fā)明專利]包含發(fā)光苯并噻唑的發(fā)光材料、包括安全特征的制品以及形成包含發(fā)光苯并噻唑的發(fā)光顆粒的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980090138.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113330093A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T·波特拉瓦;M·凱斯勒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 霍尼韋爾國(guó)際公司 |
| 主分類號(hào): | C09K11/02 | 分類號(hào): | C09K11/02;C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址: | 美國(guó)新*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包含 發(fā)光 噻唑 材料 包括 安全 特征 制品 以及 形成 顆粒 方法 | ||
1.一種發(fā)光材料,包含:
介質(zhì);以及
包含具有脲基鍵的發(fā)光苯并噻唑的發(fā)光顆粒;
其中所述發(fā)光苯并噻唑響應(yīng)約366nm波長(zhǎng)的電磁輻射的激發(fā)而具有約555nm至約630nm波長(zhǎng)內(nèi)的峰強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其中所述脲基鍵接合所述發(fā)光苯并噻唑中的含苯并噻唑基的基團(tuán)和任選的鹵代苯基基團(tuán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光材料,其中所述含苯并噻唑基的基團(tuán)是苯基苯并噻唑基基團(tuán),并且其中所述脲基鍵將所述苯基苯并噻唑基基團(tuán)接合到所述發(fā)光苯并噻唑中的所述任選的鹵代苯基基團(tuán)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光材料,其中所述苯基苯并噻唑基基團(tuán)不含羥基側(cè)基。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光材料,其中所述發(fā)光苯并噻唑具有以下結(jié)構(gòu):
其中R1為H、鹵素自由基、烷基基團(tuán)、酯基團(tuán)、醚基團(tuán)、芳族基團(tuán)或烷氧基基團(tuán);R2為H、鹵素自由基、烷基基團(tuán)、酯基基團(tuán)、醚基基團(tuán)、芳族基團(tuán)或烷氧基基團(tuán),其中R1和R2可表示用以形成多環(huán)芳族基團(tuán)的芳族基團(tuán)與苯基基團(tuán)的鍵;并且R3為H、鹵素自由基或烷基基團(tuán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光材料,其中R1為H、鹵素自由基、烷基基團(tuán)、酯基團(tuán)、醚基團(tuán)、芳族基團(tuán)或烷氧基基團(tuán);R2為H;并且R3為H。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其中所述發(fā)光苯并噻唑響應(yīng)約366nm波長(zhǎng)的電磁輻射的激發(fā)而具有約558nm至約589nm波長(zhǎng)內(nèi)的峰強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光材料,其中基于所述發(fā)光顆粒的總重量計(jì),所述發(fā)光顆粒包含至少99重量%的量的所述發(fā)光苯并噻唑。
9.一種制品,包括:
基板;以及
認(rèn)證特征,所述認(rèn)證特征位于所述基板中和/或所述基板上,其中所述認(rèn)證特征包括發(fā)光顆粒,其中所述發(fā)光顆粒包含具有脲基鍵的發(fā)光苯并噻唑,并且其中所述發(fā)光苯并噻唑響應(yīng)于用約366nm波長(zhǎng)的電磁輻射激發(fā)而具有約555nm至約630nm波長(zhǎng)內(nèi)的峰強(qiáng)度。
10.一種形成發(fā)光顆粒的方法,其中所述方法包括:
將包含氨基官能苯并噻唑反應(yīng)物和有機(jī)溶劑的混合物加熱至大于約60℃的溫度;
在加熱至大于約60℃的溫度后,將含異氰酸酯化合物添加至所述混合物中以形成反應(yīng)混合物;
將所述反應(yīng)混合物在大于約60℃的溫度處保持一段反應(yīng)期以形成包含具有脲基鍵的發(fā)光苯并噻唑的發(fā)光顆粒。
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