[發(fā)明專利]存儲裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980089912.1
• 申請日: 2019-11-18
• 公開（公告）號: CN113330554A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長塚修平;大貫達(dá)也;加藤清;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786;G11C11/405
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種存儲裝置，包括：

N個(N是2以上的自然數(shù))存儲層；

驅(qū)動電路層；

多個第一布線；以及

多個第二布線，

其中，所述N個存儲層層疊在所述驅(qū)動電路層上，

所述驅(qū)動電路層包括多個第一電路，

所述多個第一布線在所述N個存儲層的層疊方向上延伸并設(shè)置為P行R列(P及R是1以上的自然數(shù))的矩陣狀，

所述多個第二布線在所述層疊方向上延伸并設(shè)置為P行Q列(P及Q是2以上的自然數(shù))的矩陣狀，

所述N個存儲層各自包括：

設(shè)置為P行Q列的矩陣狀的多個存儲單元；

Q列的第三布線；

Q列的第四布線；以及

Q列的第五布線，

在第k個所述存儲層中，第i行第2×s-1列的存儲單元和第i行第2×s列的存儲單元與第i行第s列的第一布線電連接，所述第i行第2×s-1列的存儲單元與第i行第2×s-1列的第二布線、第2×s-1列的第三布線、第2×s-1列的第四布線及第2×s-1列的第五布線電連接，

并且，所述第一布線和所述第二布線與所述多個第一電路中的任一個電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲裝置，

其中所述第i行第2×s-1列的存儲單元包括第一晶體管、第二晶體管以及電容器，

所述第一晶體管的源極和漏極中的一個與所述第二晶體管的柵極及所述電容器的一個電極電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第一布線電連接，

所述第一晶體管的柵極與所述第三布線電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的一個與所述第四布線電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二布線電連接，

并且所述電容器的另一個電極與所述第五布線電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲裝置，

其中在所述驅(qū)動電路層與所述多個存儲單元之間還包括功能層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲裝置，

其中所述功能層包括多個第二電路，

并且所述第一布線和所述第二布線通過所述多個第二電路中的任一個與所述第一電路電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲裝置，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個在半導(dǎo)體中包含氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，

其中所述氧化物包含In和Zn中的一個或兩個。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲裝置，

其中所述氧化物包含In、Ga及Zn。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的存儲裝置，

其中所述電路包括多個晶體管，

并且所述晶體管在半導(dǎo)體中包含硅。