[發明專利]一種超薄集成芯片及其制造方法

在審

• 申請號: 201980088796.1
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN113924643A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 羅賢樹;盧國強
• 申請（專利權）人: 先進微晶圓私人有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/304;H01L21/02;G02B6/136
• 代理公司: 深圳市爾遜專利代理事務所(普通合伙) 44505
• 代理人: 周盈如;段陽柏

1.一種半導體器件，其特征在于，包括支撐層，該支撐層由不易受蝕刻工藝影響的材料形成，且該支撐層可以在制造中沉積至預定厚度，從而精確地控制所述器件所需的厚度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述支撐層包括緩沖層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖層包括SiO2、SiON、SiN。

4.根據任何前述權利要求所述的半導體器件，其特征在于，還包括附加的蝕刻停止層。

5.根據任何前述權利要求所述的半導體器件，其特征在于，所述支撐層為幾十μm數量級。

6.根據任何前述權利要求所述的半導體器件，其特征在于，所述器件是光子芯片。

7.根據任何前述權利要求所述的半導體器件，其中所述器件是超薄器件。

8.一種制造半導體器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

形成襯底；

由不易受蝕刻工藝影響的第一類型材料形成支撐層，所述支撐層具有與所述半導體器件的所需厚度相關的預定厚度；

在所述支撐層上形成器件；

在所述器件上形成至少一層包覆材料；

在所述層中形成至少向下延伸至所述襯底的多個溝槽；

在所述包覆材料上施加膜；及

使用蝕刻工藝至少部分地移除所述襯底以將所述器件與晶片上的其它器件分離。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，進一步包括使用背面研磨和濕法蝕刻工藝的組合來去除所述襯底。

10.根據權利要求8或權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括在支撐層上形成附加的蝕刻停止層。

11.根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其特征在于，所述支撐層包括緩沖層并且包括SiO2、SiON和SiN中的至少一種。

12.根據權利要求7至11中任一項所述的方法，其特征在于，進一步包括通過移除膜來分離芯片，使得單個所述器件的邊緣由所述溝槽限定。

13.根據權利要求7至12中任一項所述的方法，其特征在于，進一步包括在器件的每一側周圍形成溝槽。

14.根據權利要求7至13中任一項所述的方法，其特征在于，進一步包括控制所述支撐層的形成以制造具有所需厚度的所述器件。

15.根據權利要求7至14中任一項所述的方法，其特征在于，所述膜是不可蝕刻材料。