[發明專利]基于外延層的X射線檢測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201980087441.0
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN113302485A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 曹培炎;劉雨潤
• 申請（專利權）人: 深圳幀觀德芯科技有限公司
• 主分類號: G01N23/223
• 分類號: G01N23/223
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種方法，其包括：

在支撐在襯底上的外延層的第一表面上形成電觸點，所述第一表面與所述襯底相對；

將所述外延層鍵合至電子器件層，其中所述第一表面面向所述電子器件層，并且所述第一表面上的所述電觸點被鍵合至所述電子器件層的所述電觸點；

通過移動所述襯底而暴露與所述第一表面相對的第二表面；并且

在所述第二表面上形成公共電極。

2.如權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述外延層生長到所述襯底上。

3.如權利要求2所述的方法，其進一步包括在所述外延層生長期間在所述外延層中形成p-n結或p-i-n結。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述外延層包括p-n結或p-i-n結。

5.如權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述公共電極上形成閃爍體層，所述閃爍體層與所述外延層相對。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述閃爍體層包括多孔硅。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述外延層的厚度為1-10微米。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述公共電極包括柵極。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述公共電極包括銀(Ag)納米線、碳納米管、石墨、石墨烯或其任意組合。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述電子器件層包括：

第一電壓比較器，其被配置為將所述第一表面上的至少一個所述電觸點的電壓與第一閾值進行比較；

第二電壓比較器，其被配置為將所述電壓與第二閾值進行比較；

計數器，其被配置為記錄被所述外延層吸收的若干X射線光子；

控制器；

其中所述控制器被配置為從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超過所述第一閾值的絕對值時啟動時間延遲；

其中所述控制器被配置為在所述時間延遲期間啟動所述第二電壓比較器；

其中所述控制器被配置為當所述第二電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超過所述第二閾值的絕對值時使所述計數器記錄的數目增加一。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述電子器件層進一步包括電連接到所述第一表面上的所述至少一個所述電觸點的積分器，其中所述積分器被配置為從所述第一表面上的所述至少一個所述電觸點收集載流子。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述控制器被配置為在所述時間延遲的開始或期滿時啟動所述第二電壓比較器。

13.如權利要求10所述的方法，其中所述電子器件層進一步包括電壓表，并且所述控制器被配置為使所述電壓表在所述時間延遲期滿時測量所述電壓。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述控制器被配置為基于在所述時間延遲期滿時測得的所述電壓的值來確定X射線光子能量。

15.如權利要求10所述的方法，其中所述控制器被配置為連接所述第一表面上的所述至少一個所述電觸點到電接地。

16.如權利要求1所述的方法，其中所述外延層包括硅、鍺、GaAs、CdTe、CdZnTe或其組合。

17.一種方法，其包括：

將分析物置于X射線檢測器上，其中所述X射線檢測器包括外延層；

使所述分析物產生X射線熒光；

通過所述外延層吸收至少一部分所述X射線熒光；

基于所述X射線熒光在所述外延層中產生的電信號檢測所述X射線熒光。