[發明專利]射頻施加器和采用射頻施加器的熱聲成像系統有效
| 申請號: | 201980087025.0 | 申請日: | 2019-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN113226210B | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 克里斯托弗·納爾遜·戴維斯;邁克爾·M·桑頓;查爾頓·陳 | 申請(專利權)人: | 安德拉生命科學公司 |
| 主分類號: | A61B18/18 | 分類號: | A61B18/18;H01Q13/08;A61B18/04;A61B17/32 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 韓輝峰;楊明釗 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻 施加 采用 成像 系統 | ||
1.一種射頻施加器,其包括:
開口的中空波導,所述波導中具有孔;
在所述波導內的實心介電插入件,所述實心介電插入件中形成有與所述孔對準的凹部;
填充材料,其在所述波導和所述實心介電插入件的相對的表面之間以填充所述相對的表面之間的間隙,其中,所述填充材料的介電常數類似于所述實心介電插入件的介電常數;和
射頻(RF)源,其延伸穿過所述孔并進入所述凹部,并且被配置為生成RF能量脈沖。
2.根據權利要求1所述的射頻施加器,其中,所述實心介電插入件由陶瓷材料形成。
3.根據權利要求2所述的射頻施加器,其中,所述實心介電插入件具有大于10的實相對介電常數和小于0.01的損耗角正切。
4.根據權利要求3所述的射頻施加器,其中,所述實心介電插入件具有在57到63之間的實相對介電常數。
5.根據權利要求1所述的射頻施加器,其中,所述填充材料具有在從40攝氏度到120攝氏度的范圍內的熔點。
6.根據權利要求5所述的射頻施加器,其中,所述填充材料是陶瓷蠟復合材料。
7.根據權利要求5所述的射頻施加器,其中,所述填充材料是陶瓷蠟復合材料,所述陶瓷蠟復合材料具有在30到50之間的實相對介電常數和在2到7之間的虛相對介電常數,并且所述實心介電插入件形成在具有57到63之間的實相對介電常數的陶瓷材料上。
8.根據權利要求1所述的射頻施加器,其中,所述填充材料具有在30到50之間的實相對介電常數和在2到7之間的虛相對介電常數。
9.根據權利要求8所述的射頻施加器,其中,所述填充材料是陶瓷蠟復合材料。
10.根據權利要求9所述的射頻施加器,其中,所述陶瓷蠟復合材料具有在從40攝氏度到120攝氏度的范圍內的熔點。
11.根據權利要求10所述的射頻施加器,其中,所述陶瓷蠟復合材料包含按重量計69%至80%的二氧化鈦、按重量計10%至15%的蠟和按重量計4%至13%的石墨。
12.根據權利要求1所述的射頻施加器,其中,所述填充材料是以下項之一:(i)陶瓷蠟復合材料;(ii)導電膏;(iii)導電脂;以及(iv)陶瓷粉末和凝膠蠟混合物。
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