[發明專利]真空處理裝置有效
| 申請號： | 201980086821.2 | 申請日： | 2019-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN113227445B | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發明（設計）人： | 藤井佳詞 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/00;H01L21/203;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京英特普羅知識產權代理有限公司 11015 | 代理人： | 齊永紅;秦巖 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 真空 處理 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種真空處理裝置，其具有真空室并對該真空室內安裝的被處理基板實施規定的真空處理，在真空室內設置防附著板，所述真空處理裝置的特征在于：
還具有：金屬材質的塊體，其豎立設置在真空室的內壁面上并與防附著板的一部分留出間隙地相對設置；冷卻裝置，其冷卻塊體；以及加熱裝置，其配置在防附著板的一部分和塊體之間并可通過熱輻射加熱防附著板；
彼此相對設置的塊體和防附著板的表面部分分別由通過對這些塊體和防附著板的母材金屬分別實施表面處理而增加輻射率的高輻射率層構成。
2.根據權利要求1記載的真空處理裝置，其特征在于：
所述塊體的表面的與所述加熱裝置相對設置的部分采用通過對塊體的母材金屬實施表面處理而降低輻射率的低輻射率層代替高輻射率層而構成。
3.根據權利要求1記載的真空處理裝置，其特征在于：
在與所述防附著板相對設置的所述塊體的表面上形成第一凹部，在第一凹部的內側空間中容置所述加熱裝置。
4.根據權利要求3記載的真空處理裝置，其特征在于：
所述第一凹部的內表面采用通過對塊體的母材金屬實施表面處理而降低輻射率的低輻射率層代替高輻射率層而構成。
5.根據權利要求1記載的真空處理裝置，其特征在于：
在與所述塊體相對設置的所述防附著板的表面部分形成第二凹部，在第二凹部的內側空間中容置所述加熱裝置。
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