[發明專利]氣相成長裝置在審
| 申請號: | 201980086180.0 | 申請日: | 2019-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN113396469A | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 和田直之;南出由生 | 申請(專利權)人: | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;H01L21/677;H01L21/673;C23C16/458;C23C16/54 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張澤洲;張一舟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相成 裝置 | ||
1.一種氣相成長裝置,前述氣相成長裝置具備支承晶圓的外邊緣的環狀的載具,使用多個該載具,將多個處理前的晶圓從晶圓收納容器經由工廠接口、裝載鎖定室及晶圓移載室向反應室順次搬運,并且將多個處理后的晶圓從前述反應室經由前述晶圓移載室、前述裝載鎖定室及前述工廠接口向前述晶圓收納容器順次搬運,其特征在于,
前述裝載鎖定室經由第1門與前述工廠接口連通,并且經由第2門與前述晶圓移載室連通,
前述晶圓移載室經由閘門閥與在前述晶圓形成CVD膜的前述反應室連通,
在前述晶圓移載室設置有第1機器人,前述第1機器人將被向前述裝載鎖定室搬運來的處理前的晶圓在搭載于載具的狀態下投入前述反應室,并且將在前述反應室中結束處理的處理后的晶圓在搭載于載具的狀態下從前述反應室取出,向前述裝載鎖定室搬運,
在前述工廠接口設置有第2機器人,前述第2機器人將處理前的晶圓從晶圓收納容器取出,搭載于在前述裝載鎖定室待機的載具,并且將被向前述裝載鎖定室搬運來的搭載于載具的處理后的晶圓收納于晶圓收納容器,
在前述裝載鎖定室,至少設置有支承載具的最上層的第1架、在前述第1架的下部支承載具的第2架,
在前述氣相成長裝置中,前述第2機器人將從前述晶圓收納容器取出的處理前的晶圓,搭載于在前述裝載鎖定室的前述第1架待機的載具。
2.如權利要求1所述的氣相成長裝置,其特征在于,
前述第1機器人將前述第2機器人從前述晶圓收納容器取出的處理前的晶圓搭載于在前述裝載鎖定室的前述第1架待機的載具時,在前述第1架不存在載具的情況下,將支承于前述第2架的載具向前述第1架移載。
3.如權利要求1或2所述的氣相成長裝置,其特征在于,
前述第1機器人將在前述反應室結束處理的處理后的晶圓在搭載于載具的狀態下從前述反應室取出,向前述裝載鎖定室的第2架搬運。
4.如權利要求1至3中任一項所述的氣相成長裝置,其特征在于,
在前述裝載鎖定室,設置有在前述第2架的下部支承載具的第3架。
5.如權利要求1至4中任一項所述的氣相成長裝置,其特征在于,
前述第1機器人在其上表面具備搭載前述載具的第1葉片。
6.如權利要求5所述的氣相成長裝置,其特征在于,
在前述第1葉片的上表面,形成有與前述載具的外周側壁面的一部分對應的凹部。
7.如權利要求1至6中任一項所述的氣相成長裝置,其特征在于,
前述第2機器人在其上表面具備搭載前述晶圓的第2葉片。
8.如權利要求1至7中任一項所述的氣相成長裝置,其特征在于,
前述CVD膜是硅外延膜。
9.一種氣相成長處理方法,在前述氣相成長處理方法中,具備支承晶圓的外邊緣的環狀的載具,使用多個該載具,將多個處理前的晶圓從晶圓收納容器經由工廠接口、裝載鎖定室及晶圓移載室向反應室順次搬運,并且將多個處理后的晶圓從前述反應室經由前述晶圓移載室、前述裝載鎖定室及前述工廠接口向前述晶圓收納容器順次搬運,其特征在于,
在前述晶圓移載室,經由第1門與前述工廠接口連通,并且經由第2門與前述晶圓移載室連通,
前述晶圓移載室經由閘門閥與在前述晶圓形成CVD膜的前述反應室連通,
在前述晶圓移載室設置有第1機器人,前述第1機器人將被向前述裝載鎖定室搬運來的處理前的晶圓在搭載于載具的狀態下投入前述反應室,并且將在前述反應室中結束處理的處理后的晶圓在搭載于載具的狀態下從前述反應室取出,向前述裝載鎖定室搬運,
在前述工廠接口設置有第2機器人,前述第2機器人將處理前的晶圓從晶圓收納容器取出,搭載于在前述裝載鎖定室待機的載具,并且將被向前述裝載鎖定室搬運來的搭載于載具的處理后的晶圓收納于晶圓收納容器,
在前述裝載鎖定室,至少設置有支承載具的最上層的第1架、在前述第1架的下部支承載具的第2架,
前述第2機器人將從前述晶圓收納容器取出的處理前的晶圓,搭載于在前述裝載鎖定室的前述第1架待機的載具,
在前述氣相成長處理方法中,前述第1機器人將前述第2機器人從前述晶圓收納容器取出的處理前的晶圓搭載于在前述裝載鎖定室的前述第1架待機的載具時,在前述第1架不存在載具的情況下,將支承于前述第2架的載具移載至前述第1架。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





