[發明專利]用于真空等離子體處理至少一個襯底或用于制造襯底的真空處理設備和方法

在審

• 申請號: 201980084887.8
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN113169025A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: E·舒格爾;S·吉斯;A·赫爾德
• 申請（專利權）人: 瑞士艾發科技
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉書航;呂傳奇

1.一種真空等離子體處理設備，包括：在真空接收器內的襯底載體，至少一個第一等離子體電極和至少一個第二等離子體電極，用于在其間生成等離子體；

-所述第一等離子體電極和第二等離子體電極可連接到電等離子體供應源布置，所述電等離子體供應源布置建立至所述第一等離子體電極的第一電勢和至所述第二等離子體電極的第二電勢，所述第一電勢和所述第二電勢相對于系統接地電勢都是獨立可變的；

-至少所述第一等離子體電極包括電極主體，所述電極主體具有外部圖案化表面，所述表面包括第一表面區域和第二表面區域，所述第一表面區域對等離子體電極效應無貢獻并且是金屬材料或介電材料，所述第二表面區域是等離子體電極有效的并且是金屬材料或者是沉積在金屬材料上的介電材料層的表面，所述金屬材料在所述第一電勢上操作。

2.根據權利要求1所述的真空等離子體處理設備，其中，在至少所述第一等離子體電極的新狀態中，以及在所述圖案在所述主體的包殼軌跡上的投影中，所述圖案的所述第二表面區域的投影面積之和與所述第一表面區域的投影面積之和的比率Q為

0.1 ≤ Q ≤ 9。

3.根據權利要求1所述的真空等離子體處理設備，其中，在至少所述第一等離子體電極的新狀態中，以及所述圖案在所述主體的包殼軌跡上的投影中，所述圖案的所述第二表面區域的投影面積之和與所述第一表面區域的投影面積之和的比率Q為

0.4 ≤ Q ≤ 1。

4.根據權利要求1至3之一所述的真空等離子體處理設備，在至少所述第一等離子體電極的新狀態中，所述第二表面區域的至少一些和所述第一表面區域的至少一些是金屬材料表面區域。

5.根據權利要求1至4之一所述的真空等離子體處理設備，在至少所述第一等離子體電極的新狀態中，所述第一表面區域中的至少一些是介電材料表面，并且所述第二表面區域中的至少一些是金屬材料表面。

6.根據權利要求1至5之一所述的真空等離子體處理設備，在至少所述第一等離子體電極的新狀態中，所述第一表面區域中的至少一些和所述第二表面區域中的至少一些是介電材料表面區域。

7.根據權利要求1至6之一所述的真空等離子體處理設備，其中，所述主體包括芯體和包殼，并且所述圖案化表面的圖案由所述包殼限定。

8.根據權利要求7所述的真空等離子體處理設備，其中，所述包殼是維護替換部件。

9.根據權利要求1至8之一所述的真空等離子體處理設備，在所述至少第一等離子體電極的新狀態中，所述第二表面區域是金屬材料，并且所述真空等離子體布置被構造成在操作中在暴露于至少所述第一等離子體電極的所述真空接收器中的空間中生成材料，所述材料的導電性低于所述第二表面區域的所述金屬材料的導電性。

10.根據權利要求1至9之一所述的真空等離子體處理設備，其中，所述電極主體沿直軸延伸。

11.根據權利要求1至10之一所述的真空等離子體處理設備，其中，所述電極主體被具有橢圓或圓形或多邊形橫截面的幾何軌跡體圍繞。

12.根據權利要求1至11之一所述的真空等離子體處理設備，其中，所述電極主體被幾何軌跡體圍繞，所述幾何軌跡體從一個方向上考慮會具有逐漸變細的橫截面輪廓。

13.根據權利要求1至12之一所述的真空等離子體處理設備，其中，所述圖案化表面的所述第一表面區域包括以下各項中的至少一項：

-具有金屬材料表面的空隙凹部；

-具有被介電材料層覆蓋的金屬材料表面的空隙凹部；

-具有金屬材料表面并且被介電材料填充的凹部。