[發明專利]SiOC膜的氧化還原

在審

• 申請號: 201980083347.8
• 申請日: 2019-11-11
• 公開（公告）號: CN113196462A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: M·J·西蒙斯;M·W·蔣;梁璟梅
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/324
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 史起源;侯穎媖

1.一種在溝槽之上形成低k可流動介電膜的方法，所述溝槽形成于圖案化基板的表面上，所述方法包括：

以第一流速將含硅和碳前驅物傳遞至第一基板處理腔室的基板處理區域中達第一時間段和第二時間段；

使含氧前驅物流進等離子體源的遠程等離子體區域中，同時點燃遠程等離子體以形成自由基氧前驅物；

在經過所述第一時間段之后且于所述第二時間段期間，使所述自由基氧前驅物以第二流速流進所述基板處理區域；以及

在經過所述第二時間段之后，將所述含硅和碳前驅物暴露至電磁輻射達第三時間段，其中所述電磁輻射是以第一波長并且以第一功率提供。

2.如權利要求1所述的方法，其中，

所述含硅和碳前驅物包括：八甲基環四硅氧烷(OMCTS)、四甲基環四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、二甲基二硅氧烷(DMDSO)、或二甲基二氯硅烷(SiR₂Cl₂)，并且

所述自由基氧前驅物包括：O₂、H₂O、O₃、H₂O₂、N₂O、NO或NO₂。

3.如權利要求1所述的方法，其中在所述第二時間段期間，使所述自由基氧前驅物流進所述基板處理區域進一步包括：

將所述第一基板處理腔室的所述基板處理區域中的壓力控制為介于0.5托至3.0托之間的壓力；以及

將所述圖案化基板的溫度控制為介于40℃至150℃之間的溫度。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括：

在經過所述第二時間段后，將所述圖案化基板從所述第一基板處理腔室移送到第二基板處理腔室，其中，

將所述含硅和碳前驅物暴露至電磁輻射達所述第三時間段的方法是在所述第二基板處理腔室中執行；

在所述第三時間段期間，所述第二基板處理腔室的所述基板處理區域維持在介于1托至600托之間的壓力；并且

在所述第三時間段期間，所述圖案化基板維持在介于150℃至500℃之間的溫度。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板包括金屬，所述金屬選自由鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈷(Co)、銅(Cu)和鋁(Al)所組成的群組。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板包括選自由BCTe、GeSiAsTe、GeAsSe和SeAsGeSi組成的群組的材料。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述圖案化基板的至少一部分包括材料，所述材料包括鍺、銻和碲。

8.如權利要求1所述的方法，其中，

所述第一流速介于每分鐘0.25克(g/min)至每分鐘3克(g/min)之間，并且所述第一時間段介于1秒至600秒之間；

所述第二流速介于100sccm至2000sccm之間，并且所述第二時間段介于1秒至1800秒之間；并且

所述第一波長介于240nm至600nm之間，并且所述第三時間段介于10秒至30分之間。

9.一種在溝槽之上形成低k可流動介電膜的方法，所述溝槽形成于圖案化基板的表面上，所述方法包括：

以第一流速將含硅和碳前驅物傳遞至第一基板處理腔室的基板處理區域中達第一時間段和第二時間段；

使含氧前驅物流入等離子體源的遠程等離子體區域，同時點燃遠程等離子體以形成自由基氧前驅物；

在經過所述第一時間段之后并且在所述第二時間段期間，以第二流速使所述自由基氧前驅物流進所述基板處理區域中；以及

在經過所述第二時間段之后，將所述含硅和碳前驅物暴露于電磁輻射達第三時間段，同時所述圖案化基板維持在40℃至500℃之間的溫度，其中所述電磁輻射是以第一波長并且以第一功率提供。