[發(fā)明專利]原子層沉積法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇鹽化合物

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980082940.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113195784A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 櫻井淳;畑瀨雅子;吉野智晴;西田章浩;山下敦史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社ADEKA
• 主分類號(hào): C23C16/18
• 分類號(hào): C23C16/18;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

一種原子層沉積法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇鹽化合物。(式中，R¹表示氫原子或碳原子數(shù)1～5的烷基。R²和R³分別獨(dú)立地表示碳原子數(shù)1～5的烷基。z¹表示1～3的整數(shù)。)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種含有具有特定的結(jié)構(gòu)的醇鹽化合物的原子層沉積法用薄膜形成原料、薄膜的制造方法以及醇鹽化合物。

背景技術(shù)

包含錫原子的薄膜顯示出特異的電特性。因此，包含錫原子的薄膜被應(yīng)用于透明電極、電阻膜、阻擋膜等各種用途。

作為薄膜的制造法，例如可列舉出：濺射法、離子鍍(ion plating)法、涂布熱分解法、溶膠凝膠法等MOD(metal organic deposition：金屬有機(jī)沉積)法、CVD(chemicalvapor deposition：化學(xué)氣相沉積)法等。其中，由于具有組成控制性和臺(tái)階包覆性(stepcoverage)優(yōu)異、適合于量產(chǎn)化、能混合集成(hybrid integration)等許多優(yōu)點(diǎn)，因此原子層沉積法(以下，有時(shí)稱為ALD(Atomic layer deposition)法)是最佳的制造工藝。

報(bào)告了各種能用于CVD法和ALD法這樣的氣相薄膜形成法的材料。能應(yīng)用于ALD法的薄膜形成原料需要被稱為ALD窗口(ALD window)的溫度區(qū)域足夠?qū)挕Ｒ虼耍词篂槟苡糜贑VD法的薄膜形成原料，多數(shù)情況下也不適合于ALD法，這被認(rèn)為是本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)常識(shí)。

作為用作CVD法用原料的錫化合物，已知各種錫化合物。例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了能有效應(yīng)用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD：metal organic chemical vapordeposition)的錫的氨基醇鹽絡(luò)合物。在專利文獻(xiàn)1中，作為錫的氨基醇鹽絡(luò)合物，具體公開(kāi)了(二甲基氨基－2－甲基－2－丙氧基)錫(II)和(二甲基氨基－2－甲基－丁氧基)錫(II)。在專利文獻(xiàn)1，關(guān)于將錫的氨基醇鹽絡(luò)合物用作ALD法用原料沒(méi)有任何公開(kāi)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2009－227674號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問(wèn)題

對(duì)原子層沉積法用薄膜形成原料要求ALD窗口足夠?qū)挕岱€(wěn)定性優(yōu)異、與反應(yīng)性氣體在低溫度下反應(yīng)、能生產(chǎn)率良好地制造品質(zhì)良好的薄膜。其中，強(qiáng)烈要求ALD窗口寬、能得到品質(zhì)良好的薄膜的原子層沉積法用薄膜形成原料。然而，在專利文獻(xiàn)1中具體公開(kāi)的(二甲基氨基－2－甲基－2－丙氧基)錫(II)和(二甲基氨基－2－甲基－丁氧基)錫(II)的ALD窗口極端地窄，因此在將這些化合物用作原子層沉積法用薄膜形成原料的情況下，難以控制薄膜的形成。假設(shè)將這些化合物用作原子層沉積法用薄膜形成原料，即使在窄的溫度區(qū)域內(nèi)通過(guò)ALD法形成薄膜，每一個(gè)循環(huán)所得到的膜厚也會(huì)較薄。因此，即使將這些化合物用作原子層沉積法用薄膜形成原料，也存在成膜速度慢，而且薄膜中大量混入殘留碳成分的技術(shù)問(wèn)題。

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能生產(chǎn)率良好地制造含有錫原子的品質(zhì)良好的薄膜的原子層沉積法用薄膜形成原料以及使用了該原料的薄膜的制造方法。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明人等進(jìn)行了反復(fù)研究，其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)了通過(guò)將具有特定的結(jié)構(gòu)的錫化合物用作原子層沉積法用薄膜形成原料，能解決上述技術(shù)問(wèn)題，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明是一種原子層沉積法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇鹽化合物。